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ESD8111PFCT5G

更新时间： 2024-10-04 01:04:47
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安森美 - ONSEMI 局域网测试二极管
页数 文件大小 规格书
8页 153K
描述
ESD Protection Diodes

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ESD8111PFCT5G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PBCC-N2Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：7 weeks风险等级：1.55
其他特性：ULTRA LOW CAPACITANCE最大击穿电压：8.6 V
最小击穿电压：5.5 V击穿电压标称值：7.9 V
最大钳位电压：8 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PBCC-N2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：BIDIRECTIONAL参考标准：IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压：3.3 V最大反向电流：1 µA
反向测试电压：3.3 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

ESD8111PFCT5G 数据手册

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ESD8101, ESD8111  
ESD Protection Diodes  
Ultra Low Capacitance ESD Protection  
Diode for High Speed Data Line  
The ESD81x1 Series ESD protection diodes are designed to protect  
high speed data lines from ESD. Ultra−low capacitance and low ESD  
clamping voltage make this device an ideal solution for protecting  
voltage sensitive high speed data lines.  
www.onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAMS  
Features  
• Low Capacitance (0.20 pF Typ, I/O to GND)  
• Protection for the Following IEC Standards:  
IEC 61000−4−2 (Level 4)  
ESD8101 (01005)  
DSN2  
CASE 152AK  
T
• Low ESD Clamping Voltage  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
ESD8101P (01005)  
DSN2  
X
CASE TBD*  
Typical Applications  
• USB 3.0/3.1  
• MHL 2.0  
ESD8111 (0201)  
WLCSP2  
CASE 567AV  
F M  
X M  
• eSATA  
ESD8111P (0201)  
WLCSP2  
CASE TBD*  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
−55 to +150  
−55 to +150  
260  
Unit  
°C  
T, F, X = Device Code  
M
= Date Code  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
J
* In Development  
T
stg  
°C  
Lead Solder Temperature −  
Maximum (10 Seconds)  
T
L
°C  
PIN CONFIGURATION  
AND SCHEMATIC  
ESD8101:  
ESD  
IEC 61000−4−2 Contact  
IEC 61000−4−2 Air  
ESD8111:  
23  
23  
kV  
kV  
IEC 61000−4−2 Contact  
IEC 61000−4−2 Air  
30  
30  
kV  
kV  
1
2
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
=
See Application Note AND8308/D for further description of  
survivability specs.  
This document contains information on some products that are still under development.  
ON Semiconductor reserves the right to change or discontinue these products without  
notice.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
August, 2015 − Rev. 1  
ESD8101/D  
12345678

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