是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | R-PBCC-N2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 1.57 | 其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW CAPACITANCE |
最大击穿电压: | 12 V | 最小击穿电压: | 7 V |
击穿电压标称值: | 7 V | 最大钳位电压: | 20 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PBCC-N2 |
JESD-609代码: | e4 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.3 W |
参考标准: | IEC-61000-4-2, 4-5 | 最大重复峰值反向电压: | 5.3 V |
子类别: | Transient Suppressors | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ESD8501V5 | ONSEMI |
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Transient Voltage Suppressors | |
ESD8501V5MUT5G | ONSEMI |
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Transient Voltage Suppressors | |
ESD8504G | ONSEMI |
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ESD Protection Diode | |
ESD8504G_17 | ONSEMI |
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ESD Protection Diode | |
ESD8504GMUTAG | ONSEMI |
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ESD Protection Diode | |
ESD852 | TI |
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36V、双通道、双向 ESD 保护二极管 | |
ESD852DBZR | TI |
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36V、双通道、双向 ESD 保护二极管 | DBZ | 3 | -55 to 150 | |
ESD8551N2T5G | ONSEMI |
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低电容 ESD 保护二极管,用于高速数据线 | |
ESD85V12D-A | SOCAY |
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Transient Voltage Suppressors for ESD Protection | |
ESD85V12D-C | SOCAY |
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Transient Voltage Suppressors for ESD Protection |