是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PBCC-N10 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 1.54 | 其他特性: | ULTRA LOW CAPACITANCE |
最大击穿电压: | 6 V | 配置: | COMMON ANODE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | R-PBCC-N10 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 4 |
端子数量: | 10 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
参考标准: | IEC-61000-4-2 | 最大重复峰值反向电压: | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ESD8704_17 | ONSEMI |
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ESD Protection Diode | |
ESD8704MUTAG | ONSEMI |
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ESD Protection Diode | |
ESD8708MUTAG | ONSEMI |
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3.3 V, 8 Channel Unidirectional ESD Protection Array | |
ESD8D | RECTRON |
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ESD Protection Diode | |
ESD8D12 | RECTRON |
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ESD Protection Diode | |
ESD8D12 | KEXIN |
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Unidirectional ESD Protection Diodes | |
ESD8D12V | RECTRON |
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Reverse Current Ir : 1 uA;Package / Case : DFN1006;Breakdown Voltage Vbr : 13.3 V;Operatin | |
ESD8D12W | MDD |
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DFN1006 | |
ESD8D3.3 | KEXIN |
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Unidirectional ESD Protection Diodes | |
ESD8D36M | RECTRON |
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Reverse Current Ir : 5 uA;Package / Case : DFN1006;Breakdown Voltage Vbr : 40 V;Operating |