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ESAC93M-02RR

更新时间： 2024-01-13 21:18:00

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富士电机 - FUJI		快速恢复二极管局域网
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6页	451K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 200V V(RRM), Silicon,

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ESAC93M-02RR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	应用：	FAST RECOVERY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	60 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向恢复时间：	0.035 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

ESAC93M-02RR 数据手册

http://www.fujisemi.com

FUJI Diode

ESAC93M-02RR

Low-Loss Fast Recovery Diode

Maximum Rating and Characteristics

Maximum ratings (at Ta=25˚C unless otherwise speciﬁed.)

Item

Symbols

Conditions

Ratings

200

Units

Repetitive peak reverse voltage

Isolating voltage

VRRM

Viso

Terminals-to-case, AC.1min

1500

50Hz Square wave duty =1/2

Tc = 116˚C

Average output current

12 *

Non-repetitive forward surge current**

Operating junction temperature

Storage temperature

FSM

Sine wave, 10ms 1shot

150

˚C

Tstg

-40 to +150

Note* Out put current of center tap full wave connection.

Note** Rating per element

Electrical characteristics (at Ta=25˚C unless otherwise speciﬁed.)

Item

Symbols

Conditions

Maximum

0.95

Units

Forward voltage***

Reverse current***

I = 6 A

=VRRM

100

μA

Reverse recovery time***

Thermal resistance

Note*** Rating per element

trr

IF = 0.1A, I

= 0.2A, Irec = 0.05A

0.035

2.7

μs

Rth(j-c)

Junction to case

˚C/W

Mechanical characteristics

Item

Conditions

Maximum

0.4 to 0.6

Units

N•m

Mounting torque

Approximate mass

Recommended torque

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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