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ES3BHE3

更新时间： 2025-08-07 19:45:59

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威世 - VISHAY		功效瞄准线光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	305K
描述
DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB, LEAD FREE, PLASTIC, SMC, 2 PIN, Rectifier Diode

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ES3BHE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AB
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.57
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, HIGH RELIABILITY	应用：	EFFICIENCY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.03 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

ES3BHE3 数据手册

ES3A thru ES3D

Vishay General Semiconductor

Surface Mount Ultrafast Plastic Rectifier

Major Ratings and Characteristics

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

t_rr

3.0 A

50 V to 200 V

100 A

20 ns

V_F

0.90 V

T_jmax.

150 °C

DO-214AB (SMC)

Features

Mechanical Data

• Glass passivated chip junction

Case: DO-214AB (SMC)

• Ideal for automated placement

Epoxy meets UL 94V-0 Flammability rating

• Ultrafast recovery times for high efficiency

• Low forward voltage, low power losses

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020C

• Solder Dip 260 °C, 40 seconds

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002B and JESD22-B102D

E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high

reliability grade (AEC Q101 qualified)

Polarity: Color band denotes cathode end

Typical Applications

For use in high frequency rectification and freewheel-

ing application in switching mode converters and

inverters for consumer, computer and Telecommuni-

cation

Maximum Ratings

T_A= 25 °C unless otherwise specified

Parameter

Device marking code

Symbol

ES3A

ES3B

ES3C

ES3D

Unit

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

100

150

200

Maximum RMS voltage

105

150

140

200

Maximum DC blocking voltage

100

Maximum average forward rectified current at T_L= 100 °C

I_F(AV)

I_FSM

3.0

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

100

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 150

°C

Document Number 88589

28-Jul-05

www.vishay.com

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与ES3BHE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ES3BHE3/57T	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, P
ES3BHE3/9AT	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, P
ES3BHE3_A/H	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN
ES3BHE3_A/I	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN
ES3BQ	YANGJIE	获取价格	SMC
ES3BSMB	DIOTEC	获取价格	Superfast Recovery Rectifiers
ES3BV	RECTRON	获取价格	Reverse Voltage Vr : 100 V;Forward Current Io : 3.0 A;Max Surge Current : 125 A;Forward Vo
ES3B_NL	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AB, LEAD F
ES3C	DIODES	获取价格	3.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
ES3C	VISHAY	获取价格	SURFACE MOUNT ULTRAFAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER

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