2025年8月8日，存储行业迎来重大里程碑——闪迪与SK海力士正式签署谅解备忘录，宣布将共同推动高带宽闪存（HBF）技术标准化。这项战略合作瞄准下一代人工智能推理需求，致力于通过技术创新突破现有存储性能瓶颈。

　　随着AI模型规模呈指数级增长，业界对内存带宽和容量的需求已远超传统方案极限。HBF技术应运而生，其创新性地结合了NAND闪存的高密度特性与HBM级带宽优势：在成本相近条件下可实现8-16倍于HBM的存储容量，同时保持相当的带宽水平。这种突破性设计源自闪迪先进的BiCS技术和CBA晶圆键合技术，支持8至16层堆叠架构，可通过中介层与GPU/CPU/TPU灵活连接。

　　两家行业巨头的合作将围绕三大核心展开：制定全球统一的技术规范，明确性能指标与接口标准；构建开放的技术生态系统；加速商业化落地进程。闪迪首席技术官Alper Ilkbahar强调，此次合作将"赋能产业应对未来指数级增长的数据处理需求"，SK海力士CDO安炫社长则指出该技术将"在释放AI潜能方面发挥关键作用"。

　　值得关注的是，HBF采用类HBM设计思路，通过大量I/O引脚实现高带宽传输，但将介质从DRAM切换为NAND并优化协议，形成独特的"闪存版HBM"解决方案。技术顾问委员会成员David Patterson等专家将为标准化进程提供战略指导。

　　按照规划，首批HBF样品将于2026年下半年交付，2027年初我们将见证首款搭载该技术的AI推理设备问世。这场存储技术的革命，或将成为推动AI迈向新纪元的关键引擎。