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ES1G-G

更新时间： 2024-02-14 15:00:41

品牌	Logo	应用领域
SENSITRON		瞄准线光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	174K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC, PLASTIC, SMA, 2 PIN

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ES1G-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.74
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.3 V	最大非重复峰值正向电流：	30 A
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	1 A	最大重复峰值反向电压：	400 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

ES1G-G 数据手册

SENSITRON

ES1A – ES1M

SEMICONDUCTOR

1.0A SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER

Data Sheet 2621, Rev. A

ꢀ

Features

ꢀ

Glass Passivated Die Construction

ꢀ

Ideally Suited for Automatic Assembly

Low Forward Voltage Drop, High Efficiency

Surge Overload Rating to 30A Peak

Low Power Loss

Super-Fast Recovery Time

Plastic Case Material has UL Flammability

Classification Rating 94V-O

SMA/DO-214AC

Mechanical Data

Dim Min Max Min

Max

ꢀ

Case: Low Profile Molded Plastic

Terminals: Solder Plated, Solderable

2.50 2.90 0.098 0.114

4.00 4.60 0.157 0.181

1.40 1.60 0.055 0.063

0.152 0.305 0.006 0.012

4.80 5.28 0.189 0.208

2.00 2.44 0.079 0.096

0.051 0.203 0.002 0.008

0.76 1.52 0.030 0.060

per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Cathode Band or Cathode Notch

Marking: Type Number

ꢀ

Weight: 0.064 grams (approx.)

In mm

In inch

Maximum Ratings and Electrical Characteristics @T_A=25°C unless otherwise specified

Characteristic

Symbol ES1A ES1B ES1C ES1D ES1E ES1G ES1J ES1K ES1M Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

VRRM

VRWM

100

150

105

200

140

300

400

280

600

420

800 1000

RMS Reverse Voltage

VR(RMS)

210

1.0

560

700

Average Rectified Output Current

@T_L= 75°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

IFSM

Forward Voltage

@I_F= 1.0A

VFM

IRM

0.975

1.35

1.60

100

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 100°C

5.0

500

µA

Reverse Recovery Time (Note 1)

Typical Junction Capacitance (Note 2)

Typical Thermal Resistance (Note 3)

trr

RθJL

Tj, TSTG

K/W

°C

Operating and Storage Temperature Range

-50 to +150

Note: 1. Measured with I_F= 0.5A, I_R= 1.0A, I_rr= 0.25A,

2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC.

3. Mounted on P.C. Board with 8.0mm²land area.

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12 3

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与ES1G-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ES1G-GT3	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC, PLASTIC, SMA, 2 PIN
ES1GHE3-L	MCC	获取价格	Tape: 5K/Reel, 80K/Ctn;
ES1GHL	MCC	获取价格	Tape&Reel: 2.5Kpcs/Reel;
ES1GJ	LGE	获取价格	超快恢复二极管
ES1GL	DACHANG	获取价格	Surface Mount Super Fast Recover Rectifiers Reverse Voltage 50 to 600 V Forward Current 1.
ES1GL	MDD	获取价格	SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER
ES1GL	TSC	获取价格	1.0 AMP. Surface Mount Super Fast Rectifiers
ES1GL	SUNMATE	获取价格	1.0A patch fast recovery diode 400V SOD-123 series
ES1GL	CJ	获取价格	SOD-123FL
ES1GL	CZSTARSEA	获取价格	SOD-123FL

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