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ES1B-GT3

更新时间： 2024-10-30 20:54:51

品牌	Logo	应用领域
SENSITRON		瞄准线光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	174K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, PLASTIC, SMA, 2 PIN

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ES1B-GT3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DO-214AC
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.1
其他特性：	LOW POWER LOSS	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AC	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.05 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

ES1B-GT3 数据手册

SENSITRON

ES1A – ES1M

SEMICONDUCTOR

1.0A SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER

Data Sheet 2621, Rev. A

ꢀ

Features

ꢀ

Glass Passivated Die Construction

ꢀ

Ideally Suited for Automatic Assembly

Low Forward Voltage Drop, High Efficiency

Surge Overload Rating to 30A Peak

Low Power Loss

Super-Fast Recovery Time

Plastic Case Material has UL Flammability

Classification Rating 94V-O

SMA/DO-214AC

Mechanical Data

Dim Min Max Min

Max

ꢀ

Case: Low Profile Molded Plastic

Terminals: Solder Plated, Solderable

2.50 2.90 0.098 0.114

4.00 4.60 0.157 0.181

1.40 1.60 0.055 0.063

0.152 0.305 0.006 0.012

4.80 5.28 0.189 0.208

2.00 2.44 0.079 0.096

0.051 0.203 0.002 0.008

0.76 1.52 0.030 0.060

per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Cathode Band or Cathode Notch

Marking: Type Number

ꢀ

Weight: 0.064 grams (approx.)

In mm

In inch

Maximum Ratings and Electrical Characteristics @T_A=25°C unless otherwise specified

Characteristic

Symbol ES1A ES1B ES1C ES1D ES1E ES1G ES1J ES1K ES1M Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

VRRM

VRWM

100

150

105

200

140

300

400

280

600

420

800 1000

RMS Reverse Voltage

VR(RMS)

210

1.0

560

700

Average Rectified Output Current

@T_L= 75°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

IFSM

Forward Voltage

@I_F= 1.0A

VFM

IRM

0.975

1.35

1.60

100

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 100°C

5.0

500

µA

Reverse Recovery Time (Note 1)

Typical Junction Capacitance (Note 2)

Typical Thermal Resistance (Note 3)

trr

RθJL

Tj, TSTG

K/W

°C

Operating and Storage Temperature Range

-50 to +150

Note: 1. Measured with I_F= 0.5A, I_R= 1.0A, I_rr= 0.25A,

2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC.

3. Mounted on P.C. Board with 8.0mm²land area.

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12 3

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与ES1B-GT3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ES1BHE3	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, LEAD FREE, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Signal
ES1B-HE3	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, LEAD FREE, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Signal
ES1B-HE3/61T	VISHAY	获取价格	暂无描述
ES1BHE3_A/	VISHAY	获取价格	SIGNAL DIODE
ES1BHE3_A/H	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN
ES1BHE3_A/I	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN
ES1B-HF	COMCHIP	获取价格	Rectifier Diode,
ES1BJ	LGE	获取价格	暂无描述
ES1BL	MDD	获取价格	SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER
ES1BL	TSC	获取价格	1.0 AMP. Surface Mount Super Fast Rectifiers

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