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EMP216MEAW

更新时间： 2025-07-23 03:34:23

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描述
2Mx16 Pseudo Static RAM

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EMP216MEAW 数据手册

Preliminary

EMP216MEAW Series

2Mx16 Pseudo Static RAM

TIMING DIAGRAMS

READ CYCLE (1) (Address controlled, CS#=OE#=V , ZZ#=WE#=V , UB# or/and LB#=V )

t_RC

Address

t_AA

t_OH

Data Valid

Previous Data Valid

Data Out

READ CYCLE (2) (ZZ#=WE#=V )

t_RC

Address

t_OH

t_AA

t_CO

CS#

t_HZ

t_BHZ

t_BA

t_OE

LB#, UB#

OE#

t_OHZ

t_OLZ

t_BLZ

High-Z

Data Out

Data Vaild

t_LZ

NOTES (READ CYCLE)

1. t_HZ, t_BHZand t_OHZare defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and are not referenced

to output voltage levels.

2. Do not Access device with cycle timing shorter than t_RCfor continuous periods > 20us.

Rev 0.0

1...4 5 678 9 10...14

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