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EMH2604

更新时间: 2024-11-14 10:11:43
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 开关通用开关
页数 文件大小 规格书
6页 463K
描述
General-Purpose Switching Device Applications

EMH2604 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.76
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):4 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F8元件数量:2
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

EMH2604 数据手册

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Ordering number : EN9006  
SANYO Sem iconductors  
DATA S HEET  
N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs  
General-Purpose Switching Device  
Applications  
EMH2604  
Features  
Nch + Pch MOSFET  
ON-resistance Nch : R (on)1=34m (typ.)  
Ω
DS  
Pch : R (on)1=65m (typ.)  
Ω
DS  
1.8V drive  
Halogen free compliance  
Specications  
at Ta=25°C  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
Symbol  
Conditions  
N-channel  
20  
P-channel  
--20  
Unit  
V
V
DSS  
V
±10  
4
±10  
V
GSS  
I
--3  
A
D
Drain Current (Pulse)  
Allowable Power Dissipation  
Total Dissipation  
I
PW 10 s, duty cycle 1%  
When mounted on ceramic substrate (900mm2 0.8mm) 1unit  
When mounted on ceramic substrate (900mm2 0.8mm)  
20  
--20  
A
μ
DP  
P
P
1.0  
1.2  
W
W
°C  
°C  
×
D
T
×
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Tch  
150  
--55 to +150  
Tstg  
Package Dimensions  
unit : mm (typ)  
Product & Package Information  
• Package  
: EMH8  
7045-002  
• JEITA, JEDEC  
: -  
• Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel  
0.2  
0.125  
8
5
Packing Type : TL  
Marking  
FD  
TL  
LOT No.  
1
4
0.5  
2.0  
1 : Source1  
2 : Gate1  
3 : Source2  
4 : Gate2  
5 : Drain2  
6 : Drain2  
7 : Drain1  
8 : Drain1  
Electrical Connection  
8
7
6
5
SANYO : EMH8  
1
2
3
4
http://semicon.sanyo.com/en/network  
No.9006-1/6  
60111PE TKIM TC-00002607  

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