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EMH2801

更新时间： 2024-11-14 10:11:43

品牌	Logo	应用领域
三洋 - SANYO		肖特基二极管开关通用开关
页数	文件大小	规格书
5页	362K
描述
SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications

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EMH2801 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	0.085 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

EMH2801 数据手册

EMH2801

Ordering number : ENA1821

SANYO Sem iconductors

DATA S HEET

MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET

SBD : Schottky Barrier Diode

EMH2801

General-Purpose Switching Device

Applications

Features

•

Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package

facilitating high-density mounting

[MOSFET]

•

Low ON-resistance

1.8V drive

Low forward voltage (I =2.0A, V max=0.46V)

[SBD]

•

Small switching noise

Halogen free compliance

Speciﬁcations

at Ta=25°C

Absolute Maximum Ratings

Parameter

[MOSFET]

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Drain Current (DC)

--20

±10

-- 3

DSS

GSS

Drain Current (Pulse)

Allowable Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

PW 10 s, duty cycle 1%

When mounted on ceramic substrate (900mm²0.8mm) 1unit

--20

1.0

≤

°C

Tch

150

Tstg

--55 to +125

Continued on next page.

Package Dimensions

unit : mm (typ)

Product & Package Information

• Package

: EMH8

7045-007

• JEITA, JEDEC

: -

• Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel

0.2

0.125

Packing Type : TL

Marking

LOT No.

0.5

2.0

Electrical Connection

1 : Anode

2 : No Contact

3 : Source

4 : Gate

5 : Drain

6 : Drain

7 : Cathode

8 : Cathode

SANYO : EMH8

http://semicon.sanyo.com/en/network

No. A1821-1/5

81110PE TK IM TC-00002458

12 3 4 5

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