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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> EM6J1

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EM6J1

更新时间： 2024-01-26 18:10:17

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管驱动
页数	文件大小	规格书
5页	232K
描述
1.2V Drive Pch MOSFET

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EM6J1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	1.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	JESD-609代码：	e2
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

EM6J1 数据手册

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1.2V Drive Pch MOSFET

EM6J1

zStructure

zDimensions (Unit : mm)

Silicon P-channel MOSFET

EMT6

zFeatures

1) Two Pch MOSFET are put in EMT6 package.

2) High-speed switching.

3) Ultra low voltage drive (1.2V drive).

4) Built-in G-S Protection Diode.

Abbreviated symbol : J01

Each lead has same dimensions

zApplications

Switching

zPackaging specifications

zInner circuit

(6)

(5)

(4)

Package

Taping

T2R

Type

Code

∗1

Basic ordering unit (pieces)

8000

EM6J1

∗2

∗2

(1) Tr1 Source

(2) Tr1 Gate

(3) Tr2 Drain

(4) Tr2 Source

(5) Tr2 Gate

(6) Tr1 Drain

∗1

(1)

(2)

(3)

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

<It is the same ratings for the Tr1 and Tr2.>

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

−20

10

V

V

mA

Continuous

Pulsed

200

Drain current

∗1

I_DP

800

mA

Continuous

Pulsed

I_S

−100

−800

150

mA

Source current

(Body Diode)

∗1

I_SP

mA

mW / TOTAL

∗2

Total power dissipation

P_D

120

mW / ELEMENT

Channel temperature

Tch

150

°C

°C

Range of storage temperature

∗1 Pw 10µs, Duty cycle 1%

Tstg

−55 to +150

∗2 Each terminal mounted on a recommended land

zThermal resistance

Parameter

Symbol

Limits

833

Unit

°C / W / TOTAL

°C / W / ELEMENT

Channel to ambient

Rth (ch-a)^∗

1042

∗ Each therminal mounted on a recommended land

www.rohm.com

c

2009.05 - Rev.A

○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EM6K1	ROHM	获取价格	Small switching (30V, 0.1A)
EM6K1_1	ROHM	获取价格	2.5V Drive Nch+Nch MOS FET
EM6K18000	ROHM	获取价格	Small switching (30V, 0.1A)
EM6K1T2R	ROHM	获取价格	Small switching (30V, 0.1A)
EM6K31	ROHM	获取价格	2.5V Drive Nch Nch MOSFET
EM6K31_1009	ROHM	获取价格	2.5V Drive Nch Nch MOSFET
EM6K31T2R	ROHM	获取价格	2.5V Drive Nch Nch MOSFET
EM6K33	ROHM	获取价格	1.2V Drive Nch + Nch MOSFET
EM6K33T2R	ROHM	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
EM6K33TR2	ROHM	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,

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