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EM-0713

更新时间： 2024-11-11 19:49:55
品牌 Logo 应用领域
AKM /
页数 文件大小 规格书
3页 118K
描述
Hall Effect Sensor, -4mT Min, 4mT Max, 0.40-2.60V, Rectangular, Surface Mount, SON-4

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EM-0713 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84其他特性：CMOS OUTPUT
主体宽度：1.2 mm主体高度：0.38 mm
主体长度或直径：1.8 mm滞后：3.6 mT
最大磁场范围：4 mT最小磁场范围：-4 mT
安装特点：SURFACE MOUNT最大工作电流：10 mA
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-30 °C
最大输出电流：0.5 mA输出范围：0.40-2.60V
输出类型：DIGITAL VOLTAGE封装形状/形式：RECTANGULAR
传感器/换能器类型：MAGNETIC FIELD SENSOR,HALL EFFECT最大供电电压：5.5 V
最小供电电压：1.6 V表面贴装：YES
端接类型：SOLDERBase Number Matches：1

EM-0713 数据手册

 浏览型号EM-0713的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EM-0713的Datasheet PDF文件第3页 
Monolithic Hall Effect ICsꢀEM-series  
Shipped in packet-tape reel(5000pcs/Reel)  
EM-0713 is ultra-small Hall effect ICs of a single silicon chip composed of Hall element and a signal processing IC.  
EM-0713  
Bipolar Hall  
Supply Voltage  
Power down  
Function  
Ultra High  
Sensitivity  
Bop：1.8mT  
Output  
CMOS  
SON  
Effect Latch  
1.6～5.5Ｖ  
Notice:It is requested to read and accept "IMPORTANT NOTICE" written on the back of the front cover of this catalogue.  
●Operational Characteristics  
Vout  
N
H
VoH  
Marking  
1：VDD  
1
2
2：VSS  
3：PDN  
4：OUT  
Bh  
L
VOL  
S
S-pole  
0
N-pole  
Brp  
Bop  
Magnetic flux density  
●Absolute Maximum Ratings（Ta=25℃）  
●Functional Block Diagram  
1：VDD  
Item  
Symbol  
Limit  
Unit  
3：PDN  
Switch  
V
V
VDD  
－0.1 ～ 6.0  
－0.1 ～ VDD＋0.1  
±10  
Supply Voltage  
PDN input voltage  
PDN input current  
Output Current  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
V
in  
4：OUT  
2：VSS  
mA  
mA  
℃
I
in  
I
±0.5  
out  
Topr  
Tstg  
－30 ～ ＋85  
－40 ～ ＋125  
Oscillator Hall  
Chopper  
Schmitt Latch  
Output  
Stage  
Amplifier  
&
Element Stabilizer  
Trigger  
&
Logic  
Timing  
℃
●Magnetic q and Electrical Characteristics（Ta=25℃ VDD=3.0V）  
Item  
Symbol Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Item  
Symbol  
Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
Supply Voltage  
Operating Point  
Release Point  
H y s t e r e s i s  
PDN input High voltage  
PDN input Low voltage  
Pulse Drive Period  
PDN input Pluse Width  
Pulse Drive Time  
1.6  
5.5  
4.0  
V
mT  
mT  
mT  
V
VDD  
BOP  
TPD3  
PDN=H  
0.5  
1.0  
1.5 msec  
1.8  
－1.8  
3.6  
TW  
100  
μsec  
TPD4  
－4.0  
B
PDN=H  
12.2 24.4 36.6 μsec  
rp  
B
h
V
0.7VDD  
VDD －0.4  
IH  
●Magnetic Characteristics w（Ta=－30～＋85℃ VDD=3.0V）  
V
0.3  
V
IL  
Item  
Symbol  
Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
V
V
Io=－0.5mA  
Io=＋0.5mA  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
OH  
Operating Point  
Release Point  
H y s t e r e s i s  
BOP  
1.8  
－4.2 －1.8  
3.6  
4.2  
mT  
mT  
mT  
0.4  
1
V
V
OL  
B
rp  
2
μA  
μA  
μA  
μsec  
μsec  
IDD1 PDN=L  
Supply Current1*  
B
h
2
60  
150  
1
IDD2 PDN=H,Average  
Supply Current2*  
Note) The above specifications are design targets.  
－1  
I
PDN input Current  
PDN mode transition time１  
PDN mode transition time2  
in  
(36.6)  
100  
T
T
1
2
Active→PDN  
PDN→Active  
PD  
PD  
1［mT］=10［Gauss］  
*1: Positive(“+”) polarity flux is defined as the magnetic flux from south pole which is direct toward to the branded face of the senso（r Bop，Brp）  
*2: In case of PDN pin is held at VDD or VSS.  
*3: This transition time is not guarantee  
19  
123

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