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ELM34804AA-S

更新时间: 2024-01-30 19:22:37
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ELM-TECH /
页数 文件大小 规格书
4页 262K
描述
Dual N-channel MOSFET

ELM34804AA-S 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.76
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):4.5 A最大漏源导通电阻:0.055 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
元件数量:2端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

ELM34804AA-S 数据手册

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Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature  
100  
V GS= 0V  
10  
T A = 125°  
C
1
25°  
C
0.1  
-55°  
0.8  
C
0.01  
0.001  
0.0001  
0
0.2  
V
0.4  
0.6  
1.0  
1.2  
SD - Body Diode Forward Voltage(V)  
㪋㪄㪊  

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