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ELM36601EA-S

更新时间: 2024-11-22 11:46:03
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描述
Complementary MOSFET

ELM36601EA-S 数据手册

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Complementary MOSFET  
ELM36601EA-S  
■General Description  
■Features  
ELM36601EA-S uses advanced trench  
technology to provide excellent Rds(on)  
and low gate charge.  
N-channel  
• Vds=30V  
• Id=3.5A  
P-channel  
Vds=-30V  
Id=-2A  
• Rds(on) < 58mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 115mΩ(Vgs=-10V)  
• Rds(on) < 88mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 185mΩ(Vgs=-4.5V)  
■Maximum Absolute Ratings  
Parameter  
Symbol  
Vds  
N-ch (Max.)  
P-ch (Max.)  
-30  
Unit Note  
Drain source voltage  
30  
±20  
3.5  
V
V
-
Gate source voltage  
-
Vgs  
±20  
Ta=25°C  
Ta=70°C  
-2.3  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Id  
Idm  
A
2.8  
-1.8  
10  
-10  
A
W
°C  
3
Ta=25°C  
Ta=70°C  
1.15  
0.73  
1.15  
Power dissipation  
Pd  
0.73  
Junction and storage temperature range  
Tj,Tstg  
-
55 to 150  
-
55 to 150  
■Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol Device  
Typ.  
Max.  
110  
150  
80  
Unit  
Note  
Maximum junction to ambient  
- -  
t≤5s  
ja  
Maximum junction to ambient  
- -  
Steady-state  
Steady-state  
t≤5s  
N-ch  
°C/W  
°C/W  
Maximum junction to lead  
- -  
Rθjl  
Maximum junction to ambient  
- -  
110  
150  
80  
ja  
P-ch  
Maximum junction to ambient  
- -  
Steady-state  
Steady-state  
Maximum junction to lead  
- -  
Rθjl  
■Pin Configuration  
■Circuit  
N-ch  
P-ch  
SOT-26(TOP VIEW)  
Pin No.  
Pin name  
GATE1  
D1  
D2  
1
2
3
4
5
6
6
5
4
SOURCE2  
GATE2  
DRAIN2  
SOURCE1  
DRAIN1  
G1  
G2  
1
2
3
S1  
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