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ELM34808AA-N

更新时间： 2024-11-22 11:46:03

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Dual N-channel MOSFET

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ELM34808AA-N 数据手册

Dual N-channel MOSFET

ELM34808AA-N

■General description

■Features

ELM34808AA-N uses advanced trench technology to

provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate

resistance.

• Vds=30V

• Id=7A

• Rds(on) < 25mΩ (Vgs=10V)

• Rds(on) < 37mΩ (Vgs=4.5V)

■Maximum absolute ratings

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Note

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Vds

Vgs

Ta=25°C

Ta=70°C

Continuous drain current

Pulsed drain current

Idm

Ta=25°C

Ta=70°C

2.0

Power dissipation

°C

1.3

Junction and storage temperature range

Tj, Tstg

-55 to 150

■Thermal characteristics

Parameter

Symbol

Rθja

Typ.

Max.

62.5

Unit

°C/W

Note

Maximum junction-to-ambient

Steady-state

■Pin configuration

■Circuit

SOP-8(TOP VIEW)

Pin No.

Pin name

SOURCE1

GATE1

SOURCE2

GATE2

DRAIN2

DRAIN1

4 - 1

12 3 4

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