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EGP50G-HE3

更新时间： 2024-11-02 19:41:03

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		功效二极管
页数	文件大小	规格书
3页	186K
描述
DIODE 5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, GP20, 2 PIN, Rectifier Diode

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EGP50G-HE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.61	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, HIGH RELIABILITY
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.25 V
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	400 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

EGP50G-HE3 数据手册

EGP50A thru EGP50G

Vishay Semiconductors

Glass Passivated Ultrafast Rectifier

Major Ratings and Characteristics

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

t_rr

5.0 A

50 V to 400 V

150 A

50 ns

V_F

0.95 V, 1.25 V

150 °C

T_jmax.

*Glass Encapsulation

GP20

technique is covered by

Patent No. 3,996,602,

brazed-lead assembly to

Patent No. 3,930,306

Features

Mechanical Data

• Cavity-free glass-passivated junction

• Ultrafast reverse recovery time

• Low forward voltage drop

Case: GP20, molded epoxy over glass body

Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002B and JESD22-B102D

E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high

reliability grade (AEC Q101 qualified)

• Low leakage current

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Solder Dip 260 °C, 40 seconds

Polarity: Color band denotes cathode end

Typical Applications

For use in high frequency rectification and freewheel-

ing application in switching mode converters and

inverters for consumer, computer and Telecommuni-

cation

Maximum Ratings

T_A= 25 °C unless otherwise specified

Parameter

Symbol EGP50A EGP50B EGP50C EGP50D EGP50F EGP50G

Unit

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

100

150

105

150

200

140

200

300

210

300

400

280

400

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

100

Maximum average forward rectified current

0.375" (9.5 mm) lead length at T_L= 55 °C

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half

sine-wave superimposed on rated load

I_FSM

150

Operating and storage temperature range

T_J,T_STG

- 65 to + 150

°C

Document Number 88585

10-Aug-05

www.vishay.com

12 3

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与EGP50G-HE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EGP50G-HE3/54	VISHAY	获取价格	DIODE 5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GP20, 2 PIN, Rectifie
EGP50G-HE3/73	VISHAY	获取价格	DIODE 5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GP20, 2 PIN, Rectifie
EGP50J	SUNMATE	获取价格	5A plug-in fast recovery diode 600V DO-201 series
EGP50K	SUNMATE	获取价格	5A plug-in fast recovery diode 800V DO-201 series
EGP50M	SUNMATE	获取价格	5A plug-in fast recovery diode 1000V DO-201 series
EGP60A	TAITRON	获取价格	6.0A Sintered Glass Passivated Super Fast Recovery Rectifier
EGP60B	TAITRON	获取价格	6.0A Sintered Glass Passivated Super Fast Recovery Rectifier
EGP60D	TAITRON	获取价格	6.0A Sintered Glass Passivated Super Fast Recovery Rectifier
EGP60G	TAITRON	获取价格	6.0A Sintered Glass Passivated Super Fast Recovery Rectifier
EGPA101ELL201ML20S	CHEMI-CON	获取价格	125℃ Radial Lead Type Aluminum Electrolytic C

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