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EGP30K

更新时间： 2024-02-29 12:48:26

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描述
3A plug-in fast recovery diode 800V DO-201 series

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EGP30K 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-201AE
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.61
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-201AE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	125 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1000 V
最大反向恢复时间：	0.075 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

EGP30K 数据手册

EGP30A - EGP30M

GLASS PASSIVATED FAST EFFICIENT RECTIFIER DIODES

VOLTAGE RANGE: 50 - 1000V

CURRENT: 3.0 A

Features

Diffused Junction

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

High Reliability

High Surge Current Capability

Mechanical Data

Case: DO-201AD, Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: Cathode Band

Weight: 1.2 grams (approx.)

Mounting Position: Any

DO-201AD

Min

Dim

Max

25.40

7.20

9.50

1.30

5.30

1.20

Marking: Type Number

4.80

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^T_A= 25ꢀC unless otherwise specified

For capacitive load, derate current by 20%.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

EGP

30A

EGP

30B

EGP

30D

EGP

30F

EGP

30G

EGP

30J

EGP

30K

EGP

30M

Characteristic

Symbol

Unit

RRM

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

RWM

100

200

140

300

210

400

280

600

420

800

560

1000

700

R(RMS)

RMS Reverse Voltage

Average Rectified Output Current

(Note 1)

3.0

@T_A= 55°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

125

FSM

115

Forward Voltage

@I_F= 3.0A

1.0

1.3

1.7

Peak Reverse Current

@T_A= 25°C

5.0

120

µA

At Rated DC Blocking Voltage @T_A= 125°C

Reverse Recovery Time (Note 2)

Typical Junction Capacitance (Note 3)

Typical thermal resistance (NOTE 3)

Storage Temperature Range

^oC / W

STG

-65 to +150

°C

Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case

2. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A. See figure 5.

3. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
EGP30K_15	LRC	Glass Passivated Junction	获取价格
EGP30K-AP	MCC	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, P	获取价格
EGP30K-B	MCC	Rectifier Diode,	获取价格
EGP30K-BP	MCC	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, P	获取价格
EGP30KH	ZOWIE	SINTERED GLASS PASSIVATED JUNCTION HIGH EFFICIENT RECTIFIER	获取价格
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