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EGP30KZ PDF预览

EGP30KZ

更新时间： 2024-01-16 04:58:46
品牌 Logo 应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical 二极管功效
页数 文件大小 规格书
2页 124K
描述
HIGH EFFICIENCY RECTIFIER

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EGP30KZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-201AE
包装说明：PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.61
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-201AEJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：125 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向恢复时间：0.075 µs表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

EGP30KZ 数据手册

 浏览型号EGP30KZ的Datasheet PDF文件第2页 
GALAXY ELECTRICAL  
EGP30A(Z) --- EGP30K(Z)  
BL  
VOLTAGE RANGE: 50 --- 800 V  
HIGH EFFICIENCY RECTIFIER  
CURRENT: 3.0 A  
FEATURES  
Low cost  
Diffused junction  
DO - 27  
Low leakage  
Low forward voltage drop  
High surge current capability  
Easily cleaned with alcohol,Isopropanol  
and similar solvents  
The plastic material carries U/L recognition 94V-0  
MECHANICAL DATA  
Case:JEDEC DO--27,molded plastic  
Terminals: Axial lead ,solderable per  
MIL- STD-750,Method 2026  
Polarity: Color band denotes cathode  
Weight: 0.041 ounces,1.15grams  
Mounting position: Any  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25  
ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.  
EGP EGP  
30A 30B  
EGP EGP EGP EGP  
30F 30G 30J 30K  
EGP EGP  
30C 30D  
UNITS  
Maximum recurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
300 400 600 800  
210 280 420 560  
300 400 600 800  
V
V
V
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forw ard rectified current  
3.0  
A
IF(AV)  
9.5mm lead length,  
@TA=75  
Peak forw ard surge current  
8.3ms single half-sine-w ave  
superimposed on rated load  
125.0  
A
IFSM  
Maximum instantaneous forw ard voltage  
@ 3.0 A  
0.95  
1.25  
1.7  
75  
VF  
IR  
V
A
Maximum reverse current  
@TA=25  
5.0  
at rated DC blocking voltage @TA=125  
Maximum reverse recovery time (Note1)  
100.0  
50  
ns  
pF  
/W  
trr  
Typical junction capacitance  
Typical thermal resistance  
Typical thermal resistance  
(Note2)  
(Note3)  
(Note4)  
95  
75  
CJ  
20  
Rθ  
JA  
8.5  
Rθ  
JL  
/W  
Operating junction temperature range  
- 55 ---- + 150  
- 55 ---- + 150  
TJ  
Storage temperature range  
TSTG  
NOTE: 1. Measured with IF=0.5A, IR=1A, Irr=0.25A.  
www.galaxycn.com  
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.  
3.Thermal resistance junction to ambient.  
4.Thermal resistance junction to lead.  
BLGALAXY ELECTRICAL  
1.  
Document Number 0262010  
12

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