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EGP30B PDF预览

EGP30B

更新时间： 2023-09-03 20:28:09
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 超快恢复二极管快速恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 135K
描述
3.0A快速恢复整流器

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EGP30B 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.12
Is Samacsys：N应用：ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.95 VJEDEC-95代码：DO-27
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流：125 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：10 µA最大反向恢复时间：0.05 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

EGP30B 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
3.0 Ampere Glass  
Passivated High Efficiency  
Rectifiers  
COLOR BAND DENOTES CATHODE  
AXIAL LEAD  
(DO−201AD Glass Case)  
CASE 017AF  
EGP30A, EGP30B, EGP30C,  
EGP30D, EGP30F, EGP30G,  
EGP30J, EGP30K  
MARKING DIAGRAM  
Features  
• Glass Passivated Cavity−free Junction  
• High Surge Current Capability  
EGP30x  
$Y&Z&3  
• Low Leakage Current  
EGP30x = Specific Device Code (x = A, B, C, D, F,  
G, J, K)  
• Superfast Recovery Time for High Efficiency  
• Low Forward Voltage, High Current Capability  
• These Devices are Pb−Free, Halide Free and are RoHS Compliant  
$Y  
&Z  
&3  
= Logo  
= Assembly Plant Code  
= 3−Digit Date Code  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
I
O
Average Rectified Current  
3.0  
A
.375” Lead Length @ T = 55°C  
†
L
Device  
Package  
Shipping  
i
Peak Forward Surge Current  
8.3 ms Single Half−sine−wave  
Superimposed on Rated Load (JEDEC Method)  
125  
A
f(surge)  
EGP30A  
EGP30B  
EGP30C  
EGP30D  
EGP30F  
EGP30G  
EGP30J  
EGP30K  
AXIAL LEAD  
(DO−201AD  
Glass Case)  
(Pb−Free,  
1250 / Tape &  
Reel  
P
D
Total Device Dissipation  
Derate Above 25°C  
6.25  
50  
W
mW°C  
Halide Free)  
R
q
JA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Lead  
Junction and Storage Temperature Range  
20  
8.5  
°C/W  
°C/W  
°C  
R
q
JL  
T , T  
J
−65~150  
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
November, 2022 − Rev. 1  
EGP30K/D  
123456

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EGP30B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN
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