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EGP30BHE3/54

更新时间： 2024-02-15 01:07:34
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效二极管
页数 文件大小 规格书
4页 79K
描述
DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GP20, 2 PIN, Rectifier Diode

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EGP30BHE3/54 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.21其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.95 V
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.05 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

EGP30BHE3/54 数据手册

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EGP30A, EGP30B, EGP30C, EGP30D, EGP30F, EGP30G  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Glass Passivated Ultrafast Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Superectifier structure for high reliability condition  
• Cavity-free glass-passivated junction  
• Ultrafast reverse recovery time  
• Low forward voltage drop  
SUPERECTIFIER®  
• Low leakage current  
• Low switching losses, high efficiency  
• High forward surge capability  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
GP20  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
TYPICAL APPLICATIONS  
IF(AV)  
3.0 A  
For use in high frequency rectification and freewheeling  
application in switching mode converters and inverters for  
consumer, computer and telecommunication.  
VRRM  
50 V, 100 V, 150 V, 200 V, 300 V, 400 V  
IFSM  
125 A  
50 ns  
trr  
MECHANICAL DATA  
Case: GP20, molded epoxy over glass body  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
VF  
0.95 V, 1.25 V  
150 °C  
TJ max.  
Package  
Diode variations  
GP20  
Single die  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL EGP30A EGP30B EGP30C EGP30D EGP30F EGP30G  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forward rectified current  
0.375" (9.5 mm) lead length at TA = 55 °C  
IF(AV)  
3.0  
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
125  
A
Operating and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-65 to +150  
°C  
Revision: 13-Jun-16  
Document Number: 88584  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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