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EGP10B.TR

更新时间： 2024-01-05 20:34:06

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	47K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41

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EGP10B.TR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.27
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

EGP10B.TR 数据手册

EGP10A - EGP10K

Features

• Superfast recovery time for high

efficiency.

• Low forward voltage, high current

capability.

•

Low leakage current.

DO-41

COLOR BAND DENOTES CATHODE

• High surge current capability.

Fast Rectifiers (Glass Passivated)

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Value

Symbol

Parameter

Units

10A 10B 10C 10D 10F 10G 10J 10K

V_RRM

I_F(AV)

Maximum Repetitive Reverse Voltage

Average Rectified Forward Current,

100

150 200 300 400 600 800

1.0

.375 " lead length @ T = 55 C

I_FSM

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

8.3 ms Single Half-Sine-Wave

Storage Temperature Range

-65 to +150

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Units

P_D

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

2.5

R_θJA

C/W

Electrical Characteristics

T_A= 25°C unless otherwise noted

Device

Symbol

Parameter

Units

10A 10B 10C 10D 10F 10G 10J 10K

V_F

t_rr

Forward Voltage @ 1.0 A

0.95

1.25

1.7

Reverse Recovery Time

I_F= 0.5 A, I_R= 1.0 A, I_rr= 0.25 A

I_R

5.0

100

µA

Reverse Current @ rated V_RT = 25 C

T_A= 125°C

C_T

Total Capacitance

V_R= 4.0 V, f = 1.0 MHz

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

EPG10A - EPG10K, Rev. C

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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