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EGP10B

更新时间： 2024-11-22 11:12:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 148K
描述
1.0A快速恢复整流器

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EGP10B 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：0.95
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.95 V
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：2.5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.05 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

EGP10B 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Rectifier, High Efficiency,  
Glass Passivated, 1.0ꢀA  
EGP10B - EGP10K  
AXIAL LEAD / DO−41  
Features  
CASE 017AH  
Superfast Recovery Time for High Efficiency  
Low Forward Voltage, High Current Capability  
Low Leakage Current  
MARKING DIAGRAM  
High Surge Current Capability  
EGP10X  
ZYWW  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
EGP10X  
= Specific Device Code  
X = B/C/D/F/G/K  
= Assembly Code  
I
Average Rectified Current  
1.0  
A
O
0.375” lead length @ T = 75_C  
L
Z
I
Peak Forward Surge Current  
30  
A
f(surge)  
YWW  
= Date Code (Year & Week)  
8.3 ms single half−sine−wave  
Superimposed on rated load  
(JEDEC method)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 3  
of this data sheet.  
P
Total Device Dissipation  
2.5  
17  
W
mWC  
D
Derate above 25_C  
I
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
50  
C/W  
C  
TJ, TSTG Junction and Storage Temperature Range −65~150  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any  
semiconductor device may be impaired.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25C unless otherwise noted)  
A
Device  
10B  
100  
70  
10C  
150  
105  
150  
10D  
200  
140  
200  
10F  
300  
210  
300  
10G  
400  
280  
400  
10K  
800  
560  
800  
Parameter  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Unit  
V
V
DC Reverse Voltage (Rated V )  
100  
V
R
Maximum Reverse  
5.0  
T = 25_C  
A
mA  
mA  
A
Current at Rated V  
R
T = 125_C  
100  
Maximum Reverse Recovery Time  
I = 0.5 A, I = 1.0 A, I = 0.25 A  
50  
75  
nS  
V
F
R
rr  
Maximum Forward Voltage @ 2.0 A  
Typical Junction Capacitance  
0.95  
22  
1.25  
1.7  
15  
pF  
V
R
= 4.0 V, f = 1.0 MHz  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
*Pulse Test: Pulse Width 300 ms, Duty Cycle 2%.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
October, 2022 − Rev. 2  
EGP10K/D  
12345

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EGP10B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EGP10B.TR FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41
EGP10B/4F VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
EGP10B/58 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
EGP10B/68 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
EGP10B/90 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
EGP10B-5005/4 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AL
EGP10B-A MCC

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 		Rectifier Diode,
EGP10B-AP MCC

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKA
EGP10B-B MCC

获取价格

 		Rectifier Diode,

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