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EDK1216CFBJ-75-F PDF预览

EDK1216CFBJ-75-F

更新时间： 2024-11-05 06:55:55
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
56页 708K
描述
128M bits DDR Mobile RAM™

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EDK1216CFBJ-75-F 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA,针数：60
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.84
Is Samacsys：N访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：6 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：R-PBGA-B60JESD-609代码：e1
长度：6 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：DDR DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：60字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
组织：8MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm自我刷新：YES
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：0.5 mm端子位置：BOTTOM
宽度：5.5 mmBase Number Matches：1

EDK1216CFBJ-75-F 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
128M bits DDR Mobile RAM  
EDK1216CFBJ (8M words × 16 bits)  
Specifications  
Pin Configurations  
• Density: 128M bits  
• Organization  
/xxx indicates active low signal.  
60-ball FBGA  
2M words × 16 bits × 4 banks  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
• Package: 60-ball FBGA  
Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free  
• Power supply: VDD, VDDQ = 1.7V to 1.95V  
• Clock frequency: 133MHz (max.)  
• 1KB page size  
A
B
C
D
E
VSS DQ15 VSSQ  
VDDQ DQ13 DQ14  
VSSQ DQ11 DQ12  
VDDQ DQ9 DQ10  
VSSQ UDQS DQ8  
VDDQ DQ0  
VDD  
DQ1  
DQ3  
DQ5  
DQ2 VSSQ  
DQ4 VDDQ  
DQ6 VSSQ  
Row address: A0 to A11  
Column address: A0 to A8  
• Four internal banks for concurrent operation  
• Interface: LVCMOS  
DQ7 LDQS VDDQ  
• Burst lengths (BL): 2, 4, 8, 16  
• Burst type (BT):  
Sequential (2, 4, 8, 16)  
Interleave (2, 4, 8, 16)  
• /CAS Latency (CL): 3  
F
G
H
UDM  
CK  
VSS  
CKE  
A9  
NC  
/CK  
NC  
A8  
VDD  
NC  
/WE  
/CS  
LDM  
/CAS /RAS  
BA1  
A1  
A11  
A7  
BA0  
A0  
J
• Precharge: auto precharge option for each burst  
A6  
A10  
A2  
access  
K
VSS  
A4  
A5  
A3  
VDD  
• Driver strength: normal, 1/2, 1/4, 1/8  
• Refresh: auto-refresh, self-refresh  
• Refresh cycles: 4096 cycles/64ms  
Average refresh period: 15.6µs  
• Operating ambient temperature range  
TA =−25°C to +85°C  
(Top View)  
Address input  
A0 to A11  
BA0, BA1  
DQ0 to DQ15  
UDQS, LDQS  
/CS  
Bank select address  
Data-input/output  
Input and output data strobe  
Chip select  
/RAS  
/CAS  
/WE  
UDM, LDM  
CK  
/CK  
CKE  
VDD  
Row address strobe  
Column address strobe  
Write enable  
Write data mask  
Clock input  
Features  
• Low power consumption  
• Partial Array Self-Refresh (PASR)  
Differential clock input  
Clock enable  
• Auto Temperature Compensated Self-Refresh  
(ATCSR) by built-in temperature sensor  
Power for internal circuit  
Ground for internal circuit  
Power for DQ circuit  
Ground for DQ circuit  
No connection  
VSS  
• Double-data-rate architecture; two data transfers per  
VDDQ  
VSSQ  
NC  
one clock cycle  
• Bi-directional data strobe (DQS) is transmitted  
/received with data for capturing data at the receiver.  
• DQS is edge-aligned with data for READs; center-  
aligned with data for WRITEs  
• Differential clock inputs (CK and /CK)  
• Commands entered on each positive CK edge: data  
and data mask referenced to both edges of DQS  
• Burst termination by burst stop command and  
Precharge command  
Document No. E1194E20 (Ver. 2.0)  
Date Published October 2009 (K) Japan  
Printed in Japan  
URL: http://www.elpida.com  
Elpida Memory, Inc. 2007-2009  
1234567...56

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