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EDI88130LPS17TB

更新时间： 2024-01-07 20:01:28

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	499K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 17ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

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EDI88130LPS17TB 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
最长访问时间：	17 ns	JESD-30 代码：	R-CDIP-T32
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

EDI88130LPS17TB 数据手册

EDI88130CS

White Electronic Designs

DATA RETENTION CHARACTERISTICS (EDI88130LPS Only)

-55°C ≤ T_A≤ +125°C

Characteristic

Low Power Version only

Sym

Conditions

Min

Typ

Max

Units

Data Retention Voltage

V_CC

I_CCDR

T_CDR

T_R

V_CC= 2.0V

CS1# ≥ V_CC-0.2V and/or CS2 ≥ V_SS+0.2V

V_IN≥ V_CC-0.2V

–

0.5

–

Data Retention Quiescent Current

Chip Disable to Data Retention Time (1)

Operation Recovery Time (1)

or V_IN≤ 0.2V

Tavav*

–

NOTE:

1. Parameter guaranteed by design, but not tested.

* Read Cycle Time

FIGURE 5 – DATA RETENTION - CS1# CONTROLLED

Data Retention Mode

4.5V

Vcc

VCC

t_CDR

t_R

CS1#

CS1# ≥ VCC -0.2V

DATA RETENTION, CS1# CONTROLLED

FIGURE 6 – DATA RETENTION - CS2 CONTROLLED

Data Retention Mode

4.5V

Vcc

VCC

t_CDR

t_R

CS2

CS2 0.2V

DATA RETENTION, CS2 CONTROLLED

White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or speciﬁcations without notice.

March 2002

Rev. 11

White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.wedc.com

1...3 4 567 8 9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
EDI88130LPS17TC	MICROSEMI	Standard SRAM, 128KX8, 17ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	获取价格
EDI88130LPS17TI	MICROSEMI	Standard SRAM, 128KX8, 17ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	获取价格
EDI88130LPS20CB	MICROSEMI	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	获取价格
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EDI88130LPS20CI	MICROSEMI	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	获取价格
EDI88130LPS20CM	MICROSEMI	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	获取价格