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EDI88130LPS17TB

更新时间： 2024-01-13 11:59:24
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 499K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 17ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

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EDI88130LPS17TB 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.59
最长访问时间：17 nsJESD-30 代码：R-CDIP-T32
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：128KX8封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-STD-883最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUALBase Number Matches：1

EDI88130LPS17TB 数据手册

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EDI88130CS  
White Electronic Designs  
AC CHARACTERISTICS – WRITE CYCLE (15 to 20ns)  
VCC = 5.0V, Vss = 0V, -55°C ≤ TA ≤ +125°C  
Symbol  
15ns*  
17ns  
20ns  
Parameter  
JEDEC  
Alt.  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
Units  
Write Cycle Time  
Chip Enable to End of Write  
tAVAV  
tWC  
15  
17  
20  
ns  
tE1LWH  
tE1LE1H  
tE2HWH  
tE2HE2L  
tAVWL  
tAVE1L  
tAVE2H  
tAVWH  
tCW  
tCW  
tCW  
tCW  
tAS  
tAS  
tAS  
tAW  
12  
12  
12  
12  
0
0
0
12  
13  
13  
13  
13  
0
0
0
13  
15  
15  
15  
15  
0
0
0
15  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address Setup Time  
Address Valid to End of Write  
Write Pulse Width  
tWLWH  
tWLE1H  
tWLE2L  
tWP  
tWP  
tWP  
12  
12  
12  
13  
13  
13  
15  
15  
15  
ns  
ns  
ns  
Write Recovery Time  
Data Hold Time  
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tE1HAX  
tE2LAX  
tWHDX  
tE1HDX  
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tDVWH  
tDVE1H  
tDVE2L  
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tWR  
tWR  
tWR  
tDH  
tDH  
tDH  
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tDW  
tDW  
tDW  
tWLZ  
0
0
0
0
0
0
0
7
7
7
3
0
0
0
0
0
0
0
8
8
8
3
0
0
0
0
0
0
0
10  
10  
10  
3
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Write to Output in High Z (1)  
Data to Write Time  
7
8
8
Output Active from End of Write (1)  
1. This parameter is guaranteed by design but not tested.  
AC CHARACTERISTICS – WRITE CYCLE (25 to 55ns)  
VCC = 5.0V, Vss = 0V, -55°C ≤ TA ≤ +125°C  
Symbol  
JEDEC  
tAVAV  
tE1LWH  
tE1LE1H  
tE2HWH  
tE2HE2L  
25ns  
35ns  
45ns  
55ns  
Max  
Parameter  
Alt.  
Min  
25  
Max  
Min  
35  
Max  
Min  
45  
Max  
Min  
55  
Units  
Write Cycle Time  
Chip Enable to End of Write  
tWC  
ns  
tCW  
tCW  
tCW  
tCW  
20  
25  
35  
45  
ns  
ns  
ns  
ns  
16  
16  
20  
20  
25  
25  
40  
40  
16  
20  
25  
40  
Address Setup Time  
tAVWL  
tAVE1L  
tAVE2H  
tAS  
tAS  
tAS  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
ns  
ns  
ns  
Address Valid to End of Write  
Write Pulse Width  
tAVWH  
tAW  
20  
25  
35  
45  
ns  
tAVEH  
tWLWH  
tWLE1H  
tWLE2L  
tAW  
tWP  
tWP  
tWP  
20  
20  
20  
20  
25  
30  
30  
30  
35  
30  
30  
30  
45  
35  
35  
35  
ns  
ns  
ns  
ns  
Write Recovery Time  
Data Hold Time  
tWHAX  
tE1HAX  
tE2LAX  
tWHDX  
tE1HDX  
tE2LDX  
tWLQZ  
tDVWH  
tDVE1H  
tDVE2L  
tWHQX  
tWR  
tWR  
tWR  
tDH  
tDH  
tDH  
tWHZ  
tDW  
tDW  
tDW  
tWLZ  
0
0
0
0
0
0
0
15  
15  
15  
3
0
0
0
0
0
0
0
20  
20  
20  
3
5
5
5
0
0
0
0
20  
20  
20  
3
5
5
5
0
0
0
0
25  
25  
25  
3
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Write to Output in High Z (1)  
Data to Write Time  
10  
13  
15  
20  
Output Active from End of Write (1)  
1. This parameter is guaranteed by design but not tested.  
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specifications without notice.  
March 2002  
Rev. 11  
4
White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.wedc.com  
1234567...9

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与EDI88130LPS17TB相关器件

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EDI88130LPS17TC MICROSEMI Standard SRAM, 128KX8, 17ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

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