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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.89 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-XDIP-T24 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP24,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.003 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.12 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| EDI81256C35QI | WEDC | Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 |
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| EDI81256C35QM | WEDC | Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CDIP24, |
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| EDI81256C45CB | MICROSEMI | Standard SRAM, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
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| EDI81256C45CC | MICROSEMI | Standard SRAM, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
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| EDI81256C45CI | MICROSEMI | Standard SRAM, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
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| EDI81256C45CM | MICROSEMI | Standard SRAM, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
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