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EDI81256C45LC

更新时间: 2024-02-23 04:59:21
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WEDC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 249K
描述
Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28

EDI81256C45LC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:CERAMIC, LCC-28Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.91最长访问时间:45 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-CQCC-N28
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1端子数量:28
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装等效代码:LCC28,.35X.55
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.003 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.12 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD

EDI81256C45LC 数据手册

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