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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.71 | 最长访问时间： | 35 ns |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T24 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 256KX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| EDI81256C45CB | MICROSEMI | Standard SRAM, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
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| EDI81256C45CC | MICROSEMI | Standard SRAM, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
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| EDI81256C45CI | MICROSEMI | Standard SRAM, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
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| EDI81256C45CM | MICROSEMI | Standard SRAM, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
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| EDI81256C45FB | WEDC | Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CDFP28, CERAMIC, DFP-28 |
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| EDI81256C45FC | WEDC | Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CDFP28, CERAMIC, DFP-28 |
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