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EDC4BV7244-70JG-S PDF预览

EDC4BV7244-70JG-S

更新时间： 2024-02-28 17:03:01
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 134K
描述
Memory IC, 4MX72, CMOS, PDMA168

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EDC4BV7244-70JG-S 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：DIMM, DIMM168针数：168
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
最长访问时间：70 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDMA-N168内存密度：301989888 bit
内存宽度：72端子数量：168
字数：4194304 words字数代码：4000000
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX72输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM168封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
自我刷新：NO最大待机电流：0.028 A
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：1.504 mA
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

EDC4BV7244-70JG-S 数据手册

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November 1996  
Revision 1.0  
EDC4BV724(2/4)-(60/70)(J/T)G-S  
DC CHARACTERISTICS  
(VCC = 3.3V±0.3V, VSS = 0V, TA = 0 to +70 °C)  
60  
70  
Parameter  
Symbol  
Test Condition  
Unit  
Note  
Min.  
Max.  
1990  
1504  
Min.  
Max.  
1720  
1324  
2KR  
4KR  
-
-
-
-
I
RAS*, CAS* cycling; t = min.  
Operating Current  
mA  
1, 2  
CC1  
RC  
LVTTL Interface  
RAS*, CAS* ≥ V  
-
-
46  
28  
-
-
46  
28  
mA  
mA  
IH  
D
= High-Z  
out  
I
Standby current  
CC2  
CMOS Interface  
RAS*, CAS* ≥ V - 0.2V  
cc  
D
= High-Z  
out  
2KR  
4KR  
2KR  
4KR  
2KR  
4KR  
-
1990  
1504  
1990  
1504  
1864  
1684  
90  
-
1720  
1324  
1720  
1324  
1684  
1504  
90  
CAS* ≥ V ; RAS*, Address  
RAS* -only Refresh  
Current  
IH  
I
mA  
mA  
2
CC3  
cycling @ t = min  
RC  
-
-
-
-
RAS*, CAS* cycling @  
CAS*-before-RAS*  
Refresh Current  
I
CC4  
t
= min.  
RC  
-
-
-
-
RAS* ≤ V CAS*, Address  
Hyper Page Mode  
Current  
IL  
I
mA  
µA  
µA  
1, 3  
CC5  
cycling @ t = min  
PC  
-
-
I
0V ≤ Vin ≤ V +0.3V  
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
-90  
-90  
LI  
CC  
0V ≤ Vout ≤ V  
CC  
I
-10  
10  
-10  
10  
LO  
D
= Disable  
out  
V
High I = -2mA  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
2.4  
-
-
2.4  
-
-
V
V
OH  
out  
V
Low I = 2 mA  
0.4  
0.4  
OL  
out  
Notes:  
1. Values depend on output load condition when the device is selected. Maximum Values are specified at the output open condition.  
2. Address can be changed once or less while RAS* = V .  
IL  
3. Address can be changed once or less while CAS* = V  
.
IH  
CAPACITANCE  
(TA =+25°C, VCC = 3.3V±0.3V)  
Parameter  
Symbol  
Max.  
13  
Unit  
pF  
Note  
1
C
Input Capacitance (Address, CAS*, WE*, OE*)  
Input Capacitance (RAS*)  
I1  
C
70  
pF  
1
I2  
C
Input/Output Capacitance (DQ0~DQ71)  
12  
pF  
1, 2  
I/O  
Notes:  
1. Capacitance is measured with Boonton Meter or effective capacitance method.  
2. CAS* = V to disable D  
.
out  
IH  
Fujitsu Microelectronics, Inc.  
4
12345678

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