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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-N2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.8 | 最大击穿电压： | 10 V |
| 最小击穿电压： | 5.1 V | 配置： | COMPLEX |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-N2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 5 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 3 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EDC1UV6411-60JG-S | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, PDMA168 |
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| EDC1UV6411-60TG-S | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, PDMA168 |
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| EDC1UV6411-70JG-S | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, PDMA168 |
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| EDC1UV6411-70TG-S | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, PDMA168 |
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| EDC1UV6411B-60JG-S | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, PDMA168 |
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| EDC1UV6411B-60TG-S | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, PDMA168 |
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| EDC1UV6414-60JG-S | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, PDMA168 |
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| EDC1UV6414-60TG-S | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, PDMA168 |
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| EDC1UV6414-70JG-S | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, PDMA168 |
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| EDC1UV6414-70TG-S | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, PDMA168 |
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