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EDC2UV6482-60TG-S PDF预览

EDC2UV6482-60TG-S

更新时间： 2024-11-21 20:10:59
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 128K
描述
EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, PDMA168

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EDC2UV6482-60TG-S 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：DIMM, DIMM168针数：168
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
最长访问时间：60 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDMA-N168内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM MODULE内存宽度：64
端子数量：168字数：2097152 words
字数代码：2000000最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX64
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM168
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：2048座面最大高度：25.4 mm
自我刷新：NO最大待机电流：0.008 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.96 mA
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

EDC2UV6482-60TG-S 数据手册

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August 1996  
Revision 2.0  
DATA SHEET  
EDC2UV6482-(60/70)(J/T)G-S  
16MByte (2M x 64) CMOS EDO DRAM Module - 3.3V  
General Description  
The EDC2UV6482-(60/70)(J/T)G-S is a high performance, EDO (Extended Data Out) 16-megabyte dynamic RAM module orga-  
nized as 2M words by 64 bits, in a 168-pins, dual-in-line (DIMM) memory modules.  
The module utilizes eight, Fujitsu MB81V17805A-(60/70) (PJ/FN) CMOS 2Mx8 EDO dynamic RAMs in a surface mount package  
on an epoxy laminate substrate. Each device is accompanied by a decoupling capacitor for improved noise immunity.  
Control lines provided are such that byte control is possible. Serial PD on the module is provided by using 128 byte serial EEPROM.  
Features  
• High Density:  
• Fast Access Time of 60/70 ns (max.)  
• Low Power: 3.5/3.2 W (max.) - Active (60/70 ns)  
16MByte  
57.6mW(max.) - Standby (LVTTL)  
28.8mW(max.) - Standby (CMOS)  
• LVTTL-compatible inputs and outputs  
• Separate power and ground planes to improve noise immunity  
• Single power supply of 3.3V±0.3V  
• PCB footprint of less than 1.05 sq. in. (Height: 1.00 inch)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Item  
Symbol  
Ratings  
-0.5 to +4.6  
8
Unit  
V
Voltage on any pin relative to V  
V
P
SS  
T
Power Dissipation  
W
T
T
Operating Temperature  
Storage Temperate  
0 to +70  
-55 to +125  
50  
°C  
°C  
mA  
opr  
T
stg  
OS  
I
Short Circuit Output Current  
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS  
(TA = 0 to +70 °C)  
Symbol  
Parameter  
Supply Voltage  
Min  
Typ  
Max  
3.6  
0
Unit  
V
V
V
V
3.0  
0
3.3  
V
V
V
V
CC  
SS  
IH  
Ground  
0
-
V
+0.3  
Input High voltage  
Input Low voltage  
2.0  
-0.3  
CC  
-
0.8  
IL  
Fujitsu Microelectronics, Inc.  
1
12345678

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与EDC2UV6482-60TG-S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDC2UV6482B-60TG-S FUJITSU

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