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| 京瓷/艾维克斯 - KYOCERA AVX |  |
瞄准线光电二极管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 7页 | 1345K |  |
| 描述 | ||
| Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers between s | ||
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| EC31QS03LTE12L | NIEC | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.3A, 30V V(RRM), Silicon, |
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| EC31QS03LTE12R | NIEC | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.3A, 30V V(RRM), Silicon, |
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| EC31QS03LTE12R5 | NIEC | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.3A, 30V V(RRM), Silicon, |
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| EC31QS04 | NIEC | Schottky Barrier Diode |
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| EC31QS04 | KYOCERA AVX | Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers b |
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| EC31QS04_2015 | NI | SBD |
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