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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.69 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.45 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 | 最大非重复峰值正向电流： | 60 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 1.3 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 30 V | 最大反向电流： | 3000 µA |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EC31QS03LTE12R5 | NIEC |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.3A, 30V V(RRM), Silicon, |
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| EC31QS04 | NIEC |
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Schottky Barrier Diode |
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| EC31QS04 | KYOCERA AVX |
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Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers b |
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| EC31QS04_2015 | NI |
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SBD |
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| EC31QS04TE12L | NIEC |
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Rectifier Diode, |
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| EC31QS04TE12R | NIEC |
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Rectifier Diode, |
|
| EC31QS04TE12R5 | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| EC31QS06 | NIEC |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode |
|
| EC31QS06 | KYOCERA AVX |
获取价格 |
Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers b |
|
| EC31QS06 | SUNMATE |
获取价格 |
Rectifier device Schottky Diode |
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