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EC31QS03LTE12R5

更新时间: 2024-02-16 14:54:29
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NIEC /
页数 文件大小 规格书
1页 166K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.3A, 30V V(RRM), Silicon,

EC31QS03LTE12R5 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.69应用:GENERAL PURPOSE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.45 V
JESD-30 代码:R-PDSO-C2最大非重复峰值正向电流:60 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:1.3 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V最大反向电流:3000 µA
表面贴装:YES端子形式:C BEND
端子位置:DUALBase Number Matches:1

EC31QS03LTE12R5 数据手册

  

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