5秒后页面跳转
EC31QS04TE12R5 PDF预览

EC31QS04TE12R5

更新时间: 2024-02-14 22:17:47
品牌 Logo 应用领域
NIEC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 125K
描述
Rectifier Diode,

EC31QS04TE12R5 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.75二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-C2端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:C BEND
端子位置:DUALBase Number Matches:1

EC31QS04TE12R5 数据手册

  

与EC31QS04TE12R5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EC31QS06 NIEC

获取价格

Schottky Barrier Diode
EC31QS06 KYOCERA AVX

获取价格

Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers b
EC31QS06 SUNMATE

获取价格

Rectifier device Schottky Diode
EC31QS06TE12L NIEC

获取价格

Rectifier Diode,
EC31QS06TE12L5 NIEC

获取价格

Rectifier Diode,
EC31QS06TE12R5 NIEC

获取价格

Rectifier Diode,
EC31QS09 NIEC

获取价格

Low Forward Voltage drop Diode
EC31QS09TE12L NIEC

获取价格

Rectifier Diode,
EC31QS09TE12L5 NIEC

获取价格

Rectifier Diode,
EC31QS09TE12R NIEC

获取价格

Rectifier Diode,