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EBE11FD8AHFL-6E-E

更新时间： 2024-01-25 08:23:34
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 190K
描述
1GB Fully Buffered DIMM

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EBE11FD8AHFL-6E-E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：DIMM,针数：240
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.36风险等级：5.84
Is Samacsys：N访问模式：DUAL BANK PAGE BURST
其他特性：AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-XDMA-N240
内存密度：19327352832 bit内存集成电路类型：DRAM MODULE
内存宽度：72功能数量：1
端口数量：1端子数量：240
字数：268435456 words字数代码：256000000
工作模式：SYNCHRONOUS组织：256MX72
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：Not Qualified自我刷新：YES
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：NO
技术：CMOS端子形式：NO LEAD
端子位置：DUALBase Number Matches：1

EBE11FD8AHFL-6E-E 数据手册

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EBE11FD8AHFT, EBE11FD8AHFE, EBE11FD8AHFL  
Electrical Specifications  
• All voltages are referenced to VSS (GND).  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
VIN/VOUT  
VCC  
Value  
Unit  
V
Note  
Voltage on any pin relative to VSS  
AMB core power voltage relative to VSS  
–0.3 to +1.75  
–0.3 to +1.75  
–0.5 to +2.30  
–0.5 to +2.30  
–55 to +100  
V
DRAM interface power voltage relative to VSS VDD  
V
Termination voltage relative to VSS  
Storage temperature  
VTT  
Tstg  
V
°C  
Caution  
Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause  
permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits  
described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating  
conditions for extended periods may affect device reliability.  
Operating Temperature Conditions  
Parameter  
Symbol  
Value  
0 to +95  
110  
Unit  
°C  
Note  
1
SDRAM component case temperature  
AMB component case temperature  
TC_DRAM  
TC_AMB  
°C  
Note: 1. Supporting 0°C to +85°C and being able to extend to +95°C with doubling auto-refresh commands in  
frequency to a 32ms period (tREFI = 3.9µs) and higher temperature self-refresh entry via the control of  
EMRS (2) bit A7 is required.  
DC Operating Conditions  
Parameter  
Symbol  
VCC  
min.  
1.455  
1.7  
typ.  
1.50  
1.8  
max.  
Unit  
V
Note  
AMB supply voltage  
1.575  
DDR2 SDRAM supply voltage VDD  
1.9  
V
Input termination voltage  
EEPROM supply voltage  
SPD input high voltage  
SPD input low voltage  
RESET input high voltage  
RESET input low voltage  
Leakage current (RESET)  
Leakage current (link)  
VTT  
0.48 × VDD 0.50 × VDD  
0.52 × VDD  
V
VDDSPD  
VIH (DC)  
VIL (DC)  
VIH (DC)  
VIL (DC)  
IL  
3.0  
2.1  
—
3.3  
—
—
—
—
—
—
3.6  
V
VDDSPD  
V
1
1
2
2
2
3
0.8  
—
0.5  
90  
5
V
1.0  
—
V
V
–90  
–5  
µA  
µA  
IL  
Notes: 1. Applies for SMB and SPD bus signals.  
2. Applies for AMB CMOS signal /RESET.  
3. For all other AMB related DC parameters, please refer to the high-speed differential link interface  
specification.  
Preliminary Data Sheet E1000E30 (Ver. 3.0)  
10  
1...78910111213...22

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