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EBE11FD8AHFL-6E-E

更新时间: 2024-02-22 20:13:17
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尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 190K
描述
1GB Fully Buffered DIMM

EBE11FD8AHFL-6E-E 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM,针数:240
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.36风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-XDMA-N240
内存密度:19327352832 bit内存集成电路类型:DRAM MODULE
内存宽度:72功能数量:1
端口数量:1端子数量:240
字数:268435456 words字数代码:256000000
工作模式:SYNCHRONOUS组织:256MX72
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态:Not Qualified自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:NO
技术:CMOS端子形式:NO LEAD
端子位置:DUALBase Number Matches:1

EBE11FD8AHFL-6E-E 数据手册

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EBE11FD8AHFT, EBE11FD8AHFE, EBE11FD8AHFL  
Block Diagram  
/CS1  
/CS0  
/DQS0  
DQS0  
/DQS4  
DQS4  
DQS13  
DQS9  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
NU/  
NU/  
NU/  
NU/  
/RDQS  
/RDQS  
D0  
D9  
D4  
D13  
/RDQS  
/RDQS  
8
8
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ32 to DQ39  
DQ0 to DQ7  
/DQS1  
DQS1  
/DQS5  
DQS5  
DQS14  
DQS10  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
NU/  
NU/  
NU/  
NU/  
/RDQS  
/RDQS  
D1  
D10  
D5  
D14  
/RDQS  
/RDQS  
8
8
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ40 to DQ47  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ8 to DQ15  
/DQS2  
DQS2  
/DQS6  
DQS6  
DQS15  
DQS11  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
NU/  
NU/  
NU/  
NU/  
/RDQS  
/RDQS  
D2  
D11  
/RDQS  
/RDQS  
D6  
D15  
8
8
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ48 to DQ55  
DQ16 to DQ23  
/DQS3  
DQS3  
/DQS7  
DQS7  
DQS16  
DQS12  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
NU/  
NU/  
NU/  
NU/  
/RDQS  
/RDQS  
D7  
D16  
/RDQS D3  
/RDQS D12  
8
8
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ56 to DQ63  
DQ24 to DQ31  
/DQS8  
DQS8  
DQS17  
PN0 to PN13  
/PN0 to /PN13  
PS0 to PS9  
SN0 to SN13  
/SN0 to /SN13  
SS0 to SS9  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
/PS0 to /PS9  
/SS0 to /SS9  
NU/  
NU/  
/RDQS  
/RDQS  
D8  
D17  
8
DQ0 to DQ63  
CB0 to CB7  
DQS0 to DQS17  
/DQS0 to /DQS8  
/CS0 -> /CS (D0 to D8)  
CKE0 -> CKE (D0 to D8)  
/CS1 -> /CS (D9 to D17)  
CKE1 -> CKE (D9 to D17)  
ODT -> ODT (all SDRAMs)  
BA0, BA1 (all SDRAMs)  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
CB0 to CB7  
A
M
B
SCL  
SDA  
Serial PD  
SA0 to SA2  
A0 to A13 (all SDRAMs)  
/RAS (all SDRAMs)  
/CAS (all SDRAMs)  
/WE (all SDRAMs)  
CK/ /CK  
SCL  
SDA  
SDA  
U0  
/RESET  
Teminators  
AMB  
VTT  
WP A0 A1 A2  
SCK/ /SCK  
VCC  
SA0 SA1 SA2  
SPD, AMB  
VDDSPD  
VDD  
D0 to D17, AMB  
All address/command/control/clock  
VTT  
* D0 to D17 : 512M bits DDR2 SDRAM  
U0 : 256 bytes EEPROM  
D0 to D17  
VREF  
VSS  
D0 to D17, SPD, AMB  
Notes:  
1. DQ wiring may be changed within a byte.  
2. There are two physical copies of each address/command/control/clock  
Preliminary Data Sheet E1000E30 (Ver. 3.0)  
7

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