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EBE11FD8AHFL-6E-E

更新时间： 2024-02-07 05:54:48

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器
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22页	190K
描述
1GB Fully Buffered DIMM

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EBE11FD8AHFL-6E-E 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM,	针数：	240
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-XDMA-N240
内存密度：	19327352832 bit	内存集成电路类型：	DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	240
字数：	268435456 words	字数代码：	256000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	组织：	256MX72
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

EBE11FD8AHFL-6E-E 数据手册

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EBE11FD8AHFT, EBE11FD8AHFE, EBE11FD8AHFL

Advanced Memory Buffer Block Diagram

Southbound

Data in

Southbound

10×2

Data out

10×2

Reference

clock

Data merge

PLL

RE-time

Re-synch

1×2

Demux

PISO

/RESET

Reset

control

10×12

Link init SM

and control

and CSRs

Init

patterns

Thermal

sensor

Mux

IBIST-RX

LAI logic

DRAM Command

IBIST-TX

DRAM clock

failover

Command

decoder &

CRC check

Command

out

DRAM

address and

command copy1

Mux

DRAM

interface

DDR state controller

and CSRs

DRAM

address and

command copy2

Core

controller

and CSRs

Write data

FIFO

Data out

Data in

72+18×2

DRAM

data and strobes

External MemBIST

DDR calibration

Sync & idle

pattern

generator

Data CRC

generator and

Read FIFO

NB LAI Buffer

IBIST-TX IBIST-RX

LAI

controller

Link init SM

and control

and CSRs

Mux

SMBus

failover

SMBus

14×6×2

14×12

controller

PISO

Demux

Re-synch

RE-time

Data merge

Northbound

Data Out

Northbound

14×2

Data In

Note: This figure is a conceptual block diagram of the AMB’s data flow and clock domains.

Preliminary Data Sheet E1000E30 (Ver. 3.0)

1 2 345 6 7...22

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