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Datasheet > 存储 > DRAM> EBD52UD6ADSA-6B-E
EBD52UD6ADSA-6B-E PDF预览

EBD52UD6ADSA-6B-E

更新时间： 2024-01-22 03:24:26
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
19页 210K
描述
512MB DDR SDRAM SO-DIMM (64M words x 64 bits, 2 Ranks)

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EBD52UD6ADSA-6B-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SODIMM包装说明：DIMM, DIMM200,24
针数：200Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.84Is Samacsys：N
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间：0.7 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：167 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XZMA-N200
内存密度：4294967296 bit内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE
内存宽度：64功能数量：1
端口数量：1端子数量：200
字数：67108864 words字数代码：64000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：64MX64
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM200,24
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
自我刷新：YES子类别：DRAMs
最大压摆率：2.38 mA最大供电电压 (Vsup)：2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：0.6 mm端子位置：ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

EBD52UD6ADSA-6B-E 数据手册

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EBD52UD6ADSA-E  
Byte No. Function described  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value  
Comments  
18ns  
Minimum /RAS to /CAS delay (tRCD)  
-6B  
29  
0
0
1
1
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
48H  
50H  
-7A, -7B  
20ns  
Minimum active to precharge time  
(tRAS)  
-6B  
30  
0
0
1
0
1
0
1
0
2AH  
42ns  
45ns  
256M bytes ×  
2 ranks  
-7A, -7B  
0
0
0
1
1
0
0
0
1
0
1
0
0
0
1
0
2DH  
40H  
31  
32  
Module rank density  
Address and command setup time  
before clock (tIS)  
-6B  
0
1
0
1
0
1
1
0
1
1
1
1
0
0
0
1
0
1
0
0
0
1
0
1
75H  
90H  
75H  
0.75ns*1  
0.9ns*1  
-7A, -7B  
Address and command hold time after  
clock (tIH)  
-6B  
33  
0.75ns*1  
-7A, -7B  
1
0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
1
0
1
90H  
45H  
50H  
45H  
0.9ns*1  
0.45ns*1  
0.5ns*1  
0.45ns*1  
Data input setup time before clock (tDS)  
-6B  
-7A, -7B  
Data input hold time after clock (tDH)  
-6B  
-7A, -7B  
34  
35  
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
50H  
00H  
0.5ns*1  
36 to 40 Superset information  
Future use  
Active command period (tRC)  
41  
0
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
1
3CH  
41H  
60ns*1  
65ns*1  
-6B  
-7A, -7B  
Auto refresh to active/  
Auto refresh command cycle (tRFC)  
-6B  
42  
0
1
0
0
1
0
0
0
48H  
72ns*1  
-7A, -7B  
0
0
1
0
0
1
0
1
1
0
0
0
1
0
1
0
4BH  
30H  
75ns*1  
12ns*1  
43  
44  
SDRAM tCK cycle max. (tCK max.)  
Dout to DQS skew  
-6B  
-7A, -7B  
Data hold skew (tQHS)  
-6B  
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
1
1
1
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
2DH  
32H  
55H  
0.45ns*1  
0.5ns*1  
45  
0.55ns*1  
-7A, -7B  
0
0
0
1
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
75H  
00H  
00H  
0.75ns*1  
46 to 61 Superset information  
Future use  
62  
SPD Revision  
Checksum for bytes 0 to 62  
-6B  
63  
0
0
0
0
1
0
0
1
09H  
-7A  
1
1
1
1
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
1
C0H  
EBH  
-7B  
Continuation  
code  
Elpida Memory  
64 to 65 Manufacturer’s JEDEC ID code  
66 Manufacturer’s JEDEC ID code  
67 to 71 Manufacturer’s JEDEC ID code  
0
1
1
1
1
1
1
1
7FH  
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
0
FEH  
00H  
(ASCII-8bit  
code)  
72  
Manufacturing location  
×
×
×
×
×
×
×
×
××  
73  
74  
Module part number  
Module part number  
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
1
0
45H  
42H  
E
B
Data Sheet E0604E10 (Ver. 1.0)  
6
1...3456789...19

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与EBD52UD6ADSA-6B-E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EBD52UD6ADSA-7A ELPIDA 512MB DDR SDRAM SO-(64M words x 64 bits, 2 Ranks)

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EBD52UD6ADSA-7A-E ELPIDA 512MB DDR SDRAM SO-DIMM (64M words x 64 bits, 2 Ranks)

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EBD52UD6ADSA-7B ELPIDA 512MB DDR SDRAM SO-(64M words x 64 bits, 2 Ranks)

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EBD52UD6ADSA-7B-E ELPIDA 512MB DDR SDRAM SO-DIMM (64M words x 64 bits, 2 Ranks)

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EBD52UD6ADSA-E ELPIDA 512MB DDR SDRAM SO-DIMM (64M words x 64 bits, 2 Ranks)

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EBD64UB6ALF-75 ELPIDA DDR DRAM Module, 8MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184

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