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EBD11UD8ABFB-7A

更新时间: 2024-01-21 09:43:24
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尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
19页 207K
描述
1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM

EBD11UD8ABFB-7A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM184
针数:184Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N184
内存密度:8589934592 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:64湿度敏感等级:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:184字数:134217728 words
字数代码:128000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM184封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):225
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
最大待机电流:0.048 A子类别:DRAMs
最大压摆率:4.32 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

EBD11UD8ABFB-7A 数据手册

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EBD11UD8ABFB  
DM (input pins): DM is the reference signal of the data input mask function. DMs are sampled at the cross point of  
DQS and VREF  
VDD and VDDQ (power supply pins)  
2.5V is applied. (VDD is for the internal circuit and VDDQ is for the output buffer.)  
VDDSPD (power supply pin)  
2.5V is applied (For serial EEPROM).  
VSS (power supply pin)  
Ground is connected.  
Detailed Operation Part, AC Characteristics and Timing Waveforms  
Refer to the EDD5104ABTA, EDD5108ABTA datasheet (E0237E).  
Preliminary Data Sheet E0296E20 (Ver. 2.0)  
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