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EBD11UD8ABFB-7A

更新时间: 2024-02-03 19:20:01
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尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
19页 207K
描述
1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM

EBD11UD8ABFB-7A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM184
针数:184Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N184
内存密度:8589934592 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:64湿度敏感等级:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:184字数:134217728 words
字数代码:128000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM184封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):225
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
最大待机电流:0.048 A子类别:DRAMs
最大压摆率:4.32 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

EBD11UD8ABFB-7A 数据手册

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EBD11UD8ABFB  
Timing Parameter Measured in Clock Cycle for unbuffered DIMM  
Number of clock cycle  
tCK  
6ns  
7.5ns  
Parameter  
Symbol  
tWPD  
tRPD  
min.  
max.  
min.  
max.  
Write to pre-charge command delay (same bank)  
Read to pre-charge command delay (same bank)  
Write to read command delay (to input all data)  
4 + BL/2  
BL/2  
3 + BL/2  
BL/2  
tWRD  
2 + BL/2  
2 + BL/2  
Burst stop command to write command delay  
(CL = 2)  
(CL = 2.5)  
Burst stop command to DQ High-Z  
(CL = 2)  
(CL = 2.5)  
tBSTW  
tBSTW  
tBSTZ  
tBSTZ  
2
2
3
3
2
2
2
2
2.5  
2.5  
2.5  
2.5  
Read command to write command delay  
(to output all data)  
(CL = 2)  
tRWD  
2 + BL/2  
2 + BL/2  
(CL = 2.5)  
Pre-charge command to High-Z  
(CL = 2)  
tRWD  
tHZP  
3 + BL/2  
2
3 + BL/2  
2
2
2
(CL = 2.5)  
tHZP  
2.5  
1
2.5  
1
2.5  
1
2.5  
1
Write command to data in latency  
Write recovery time  
tWCD  
tWR  
3
2
DM to data in latency  
tDMD  
tMRD  
tSNR  
tSRD  
tPDEN  
tPDEX  
0
0
0
0
Mode register set command cycle time  
Self refresh exit to non-read command  
Self refresh exit to read command  
Power down entry  
2
2
12  
200  
1
10  
200  
1
1
1
Power down exit to command input  
1
1
Preliminary Data Sheet E0296E20 (Ver. 2.0)  
14  

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1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)
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