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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DXT3150-13
DXT3150-13 PDF预览

DXT3150-13

更新时间： 2024-10-17 09:59:31
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
3页 200K
描述
NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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DXT3150-13 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-89
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：19 weeks风险等级：1.72
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：258171Samacsys Pin Count：4
Samacsys Part Category：Transistor BJT NPNSamacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：SOT89-3L_1Samacsys Released Date：2019-04-28 11:39:29
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.005 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：250
JESD-30 代码：R-PDSO-F4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：220 MHz
Base Number Matches：1

DXT3150-13 数据手册

 浏览型号DXT3150-13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DXT3150-13的Datasheet PDF文件第3页 
DXT3150  
NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
•
•
•
•
•
Epitaxial Planar Die Construction  
Ideally Suited for Automated Assembly Processes  
Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
"Green" Device (Note 2)  
SOT89-3L  
Mechanical Data  
TOR  
LLEC  
2,4  
CO  
•
•
Case: SOT89-3L  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
3 E  
2 C  
1 B  
C 4  
T
•
•
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals: Finish — Matte Tin annealed over Copper leadframe  
(Lead Free Plating). Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
1
ASE  
B
3
•
•
•
Marking & Type Code Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.072 grams (approximate)  
EW  
VI  
OP  
EMITTER  
Schematic and Pin Configuration  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
50  
25  
7
Unit  
V
Collector-Emitter Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
V
Continuous Collector Current  
5
A
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
PD  
Rθ  
Value  
1
Unit  
W
Power Dissipation (Note 3) @ TA = 25°C  
125  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 3) @TA = 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
JA  
-55 to +150  
°C  
Tj, TSTG  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 4)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Conditions  
25  
⎯
⎯
V
V(BR)CEO  
ICBO  
⎯
⎯
⎯
⎯
1.0  
I
C = 10mA, IB = 0  
μA  
VCB = 50V, IE = 0  
Emitter Cut-off Current  
1.0  
IEBO  
μA VEB = 7.0V, IC = 0  
ON CHARACTERISTICS (Note 4)  
0.35  
0.50  
IC = 3.0A, IB = 150mA  
IC = 4.0A, IB = 200mA  
IC = 3.0A, IB = 150mA  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
V
V
VCE(SAT)  
VBE(SAT)  
⎯
⎯
⎯
⎯
1.10  
1.40  
I
C = 4.0A, IB = 200mA  
550  
⎯
⎯
IC = 500mA, VCE = 2.0V  
IC = 2.0A, VCE = 2.0V  
250  
150  
50  
DC Current Gain  
hFE  
⎯
⎯
I
C = 5.0A, VCE = 2.0V  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
Current Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
IC = 50mA, VCE = 6.0V,  
f = 100MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
220  
MHz  
pF  
fT  
⎯
⎯
⎯
50  
Cobo  
⎯
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Device mounted on FR-4 PCB; pad layout as shown on page 3 or in Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001, which can be found on our  
website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
4. Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300μs. Duty cycle ≤2%.  
DS31157 Rev. 3 - 2  
1 of 3  
www.diodes.com  
DXT3150  
© Diodes Incorporated  
123

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