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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTD163TCT116 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| DTD163TCT117 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| DTD163TF | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| DTD163TFC1 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| DTD163TK | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23VAR |
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| DTD163TKT146 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| DTD163TKT147 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| DTD163TKT246 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
|
| DTD163TL | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP |
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| DTD163TLTL2 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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