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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTD163TKT147 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| DTD163TKT246 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
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| DTD163TL | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP |
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| DTD163TLTL2 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| DTD163TLTL4 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| DTD163TS | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| DTD163TSTP | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| DTD163TV | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP |
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| DTD163TVTV3 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| DTD163TVTV4 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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