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DTC144TUA PDF预览

DTC144TUA

更新时间： 2024-11-30 06:54:51
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 1147K
描述
NPN Digital Transistor

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DTC144TUA 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

DTC144TUA 数据手册

 浏览型号DTC144TUA的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
DTC144TUA  
Micro Commercial Components  
Features  
•
Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit  
without connecting external input resistors (see equivalent circuit)  
The bias resistors consist of thin-film resistors with complete  
isolation to allow negative biasing of the input. They also have the  
advantage of almost completely eliminating parasitic effects  
Only the on/off conditions need to be set for operation, making  
device design easy  
NPN Digital Transistor  
•
•
SOT-323  
A
Absolute Maximum Ratings  
D
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
50  
50  
5
100  
Unit  
V
V
V
mA  
3
1: IBase  
2: Emitter  
3: Collector  
C
B
1
2
Collector Current-Continuous  
Collector Dissipation  
F
E
PC  
200  
mW  
℃
℃
Junction Temperature  
TJ  
150  
Storage Temperature Range  
TSTG  
-55~150  
H
G
J
K
DIMENSIONS  
Electrical Characteristics  
INCHES  
MAX  
MM  
Sym  
Parameter  
Min  
50  
Typ  
---  
Max Unit  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
.071  
.045  
.079  
MIN  
1.80  
1.15  
2.00  
MAX  
2.20  
1.35  
2.20  
NOTE  
.087  
.053  
.087  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=50uA, IE=0)  
V(BR)CBO  
---  
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1mA, IB=0)  
.026 Nominal  
0.65Nominal  
1.20  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
50  
5
---  
---  
V
.047  
.012  
.000  
.035  
.004  
.012  
.055  
.016  
.004  
.039  
.010  
.016  
1.40  
.40  
.100  
1.00  
.250  
.40  
F
.30  
.000  
.90  
.100  
.30  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=50uA, IC=0)  
---  
---  
V
G
H
J
Collector Cut-off Current  
(VCB=50V, IE=0)  
---  
---  
0.5  
0.5  
600  
uA  
uA  
---  
K
Emitter Cut-off Current  
(VEB=4V, IC=0)  
IEBO  
---  
---  
Suggested Solder  
Pad Layout  
0.70  
DC Current Gain  
hFE  
100  
300  
(VCE=5V, IC=1mA)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
VCE(sat)  
R1  
---  
32.9  
---  
---  
47  
0.3  
61.1  
---  
V
(IC=10mA, IB=1mA)  
0.90  
Input resistance  
KΩ  
Transition Frequency  
fT  
250  
MHz  
1.90  
(VCE=10V, IC=-5mA, f=100MHz)  
0.65  
0.65  
www.mccsemi.com  
Revision: 1  
2005/06/29  
12

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DTC144TUA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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