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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTC144TUA-TP
DTC144TUA-TP PDF预览

DTC144TUA-TP

更新时间： 2024-02-05 01:55:49
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 109K
描述
NPN Digital Transistor

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DTC144TUA-TP 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.57
Is Samacsys：N其他特性：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.46
最大集电极电流 (IC)：0.03 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：56
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DTC144TUA-TP 数据手册

 浏览型号DTC144TUA-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTC144TUA-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
DTC144TUA  
Micro Commercial Components  
Features  
xꢀ Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit  
without connecting external input resistors (see equivalent circuit)  
xꢀ The bias resistors consist of thin-film resistors with complete  
isolation to allow negative biasing of the input. They also have the  
advantage of almost completely eliminating parasitic effects  
xꢀ Only the on/off conditions need to be set for operation, making  
device design easy  
NPN Digital Transistor  
SOT-323  
D
A
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
Value  
50  
Unit  
V
3
1: IBase  
2: Emitter  
3: Collector  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base voltage  
VCEO  
50  
V
C
B
VEBO  
5
V
1
2
Collector Current-Continuous  
IC  
100  
mA  
F
E
Collector Dissipation  
PC  
200  
mW  
к
к
Junction Temperature  
TJ  
150  
Storage Temperature Range  
TSTG  
-55~150  
H
G
J
•
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
K
DIMENSIONS  
Electrical Characteristics  
INCHES  
MAX  
MM  
Sym  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=50uA, IE=0)  
Min  
Typ  
Max Unit  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
.071  
.045  
.079  
MIN  
1.80  
1.15  
2.00  
MAX  
2.20  
1.35  
2.20  
NOTE  
.087  
.053  
.087  
V(BR)CBO  
50  
---  
---  
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1mA, IB=0)  
.026 Nominal  
0.65Nominal  
1.20  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
50  
5
---  
---  
---  
V
.047  
.012  
.000  
.035  
.004  
.012  
.055  
.016  
.004  
.039  
.010  
.016  
1.40  
.40  
.100  
1.00  
.250  
.40  
F
.30  
.000  
.90  
.100  
.30  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=50uA, IC=0)  
---  
V
G
H
J
Collector Cut-off Current  
(VCB=50V, IE=0)  
---  
---  
0.5  
0.5  
600  
uA  
uA  
---  
K
Emitter Cut-off Current  
(VEB=4V, IC=0)  
IEBO  
---  
---  
Suggested Solder  
Pad Layout  
0.70  
DC Current Gain  
(VCE=5V, IC=1mA)  
hFE  
100  
300  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mA, IB=1mA)  
VCE(sat)  
R1  
---  
32.9  
---  
---  
47  
0.3  
61.1  
---  
V
0.90  
Input resistance  
Transition Frequency  
(VCE=10V, IC=-5mA, f=100MHz)  
K=  
MHz  
fT  
250  
1.90  
*Marking: 06  
0.65  
0.65  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: 3  
2009/02/11  
123

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与DTC144TUA-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTC144TUA-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
DTC144TUS3 ETC

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 		Mini size of Discrete semiconductor elements
DTC144TV ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP
DTC144TVA ETC

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 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP
DTC144TVATV3 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATV, 3
DTC144TVATV4 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATV, 3
DTC144TVATV6 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATV, 3
DTC144V ROHM

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DTC144V UTC

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 		NPN
DTC144VA ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon

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