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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SC-59, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.61 |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 56 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTB114EKT146 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO |
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| DTB114EKT147 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| DTB114EL | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon |
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| DTB114EL-AE3-R | UTC |
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DIGITAL TRANSISTORS (BUILT-IN BIAS RESISTORS) |
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| DTB114EL-AL3-R | UTC |
获取价格 |
DIGITAL TRANSISTORS (BUILT-IN BIAS RESISTORS) |
|
| DTB114ELTL2 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FTL, 3 |
|
| DTB114ELTL3 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FTL, 3 |
|
| DTB114EN | ETC |
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TRANSISTOR | TO-92 |
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| DTB114EN3 | CYSTEKEC |
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NPN Digital Transistors (Built-in Resistors) |
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| DTB114ES | ROHM |
获取价格 |
Digital transistors (built-in resistors) |
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