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DTA143TCA

更新时间： 2024-11-02 12:49:19
品牌 Logo 应用领域
TSC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 209K
描述
PNP Small Signal Transistor

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DTA143TCA 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.57
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

DTA143TCA 数据手册

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DTA143 TM/TE/TUA/TCA/TSA  
PNP Small Signal Transistor  
Small Signal Product  
Features  
Equivalent Circuit  
◇ Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter  
circuit without connecting external input resistor  
(see equivalent circuit).  
◇ The bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow negative biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely  
eliminating parasitic effects.  
◇ Only the on/off conditions need to be set for  
operation, marking device design easy.  
◇ Green compound (Halogen free) with suffix "G" on  
packing code and prefix "G" on date code.  
Ordering Information (example)  
Packing code  
(Green)  
Part No.  
Package  
SOT-723  
Packing  
Packing code  
RM  
Marking  
93  
Manufacture code  
M0  
RMG  
DTA143 TM  
8K / 7" Reel  
Note : Detail please see "Ordering Information(detail, example)" below.  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Value  
TUA / TCA  
200  
Symbol  
Unit  
Parameter  
TM  
TE  
TSA  
300  
Power Dissipation  
PD  
100  
150  
mW  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
IC  
-50  
-50  
V
-5  
V
Collector Current  
-100  
mA  
°C  
Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to + 150  
Notes : 1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
Condtion  
Symbol  
Min  
-50  
-50  
-5  
Typ  
Max  
Unit  
V
Parameter  
Ic= -50μA , IE=0  
Ic= -1mA , IB=0  
IE= -50μA , IC=0  
VCB= -50V , IE=0  
VEB= -4V , IC=0  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
DC Current Gain  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
V
V
-0.5  
-0.5  
-0.3  
600  
6.11  
μA  
μA  
V
IEBO  
IC= -5mA , IB= -0.25mA  
VCE= -5V , IC= -1mA  
VCE(sat)  
hFE  
Input Resistance  
100  
Resistance Ratio  
R1  
3.29  
4.7  
KΩ  
VCE= -10V , IE=5mA , f=100MHz  
Transition Frequency  
fT  
250  
MHz  
Version : B13  
123

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