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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTA114EUA
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DTA114EUA

更新时间： 2024-09-17 06:54:47
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 311K
描述
SOT-323 DIGITAL TRANSISTOR TRANSISTORS(PNP)

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DTA114EUA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.57其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：265极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

DTA114EUA 数据手册

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RECTRON  
TECHNICAL SPECIFICATION  
SEMICONDUCTOR  
DTA114EUA  
SOT-323 DIGITAL TRANSISTOR  
TRANSISTORS(PNP)  
FEATURES  
Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter  
circuit without connecting external input resistors.(see equi-  
valent circuit).  
*
The bias resistors conisit of thin-film resistors with co-  
mplete isolation to allow negative biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely El-  
iminating parasitic effects.  
*
SOT-323  
Only the on/off conditions need to be set for operation mark-  
ing device design easy.  
*
0.053(1.35)  
0.045(1.15)  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
REF 0.021(0.53)  
* Weight: 0.006 gram  
0.096(2.45)  
0.085(2.15)  
0.016(0.40)  
0.008(0.20)  
1
2
0.055(1.40)  
0.047(1.20)  
0.087(2.20)  
0.079(2.00)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
3
Ratings at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
(2)  
(1)  
(1) IN  
(2) GND  
(3) OUT  
Dimensions in inches and (millimeters)  
(3)  
MAXIMUM RATINGES ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
RATINGS  
SYMBOL  
LIMITS  
-50  
UNITS  
V
V
CC  
Supply voltage  
Input voltage  
V
-40~10  
V
IN  
I
-50  
-100  
200  
150  
O
mA  
Output current  
IC(MAX)  
Pd  
Power dissipation  
mW  
oC  
Junction temperature  
Tj  
oC  
Storage temperature  
Tstg  
-55 ~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
MIN  
-
TYP  
-
MAX  
-0.5  
UNITS  
V
Input voltage (V = -5V, I = -100µA)  
V
I(off)  
CC  
O
Input voltage (VO= -0.3V, I = -10mA)  
O
V
-3  
-
-
-
-
-
I(on)  
V
Output voltage (IO / II= -10mA / -0.5mA)  
-0.3  
-0.88  
V
o(on)  
Input current (V = -5V)  
I
I
I
-
mA  
Output current (V = -50V,V = 0)  
I
-
-
-
-0.5  
-
µA  
CC  
I
o(off)  
DC current gain (V = -5V,I = -5mA)  
G
I
30  
-
O
O
R
1
Input resistance  
Resistance ratio  
7
10  
1
13  
KΩ  
-
R
R
1
0.8  
1.2  
2 /  
Transistion frequency (V = -10V,I = 5mA, f= 100MHz)  
fT  
-
250  
-
MHz  
2006-3  
CE  
E
Note: "Fully ROHS compliant", "100% Sn plating (Pb-free)".  
123

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